存储器厂力晶转攻NAND Flash领域后,继接获劲永大单挹注,日前再获得NAND Flash解决方案大厂群联订单一笔,群联将以预付货款方式支付力晶新台币3亿元,包下力晶NAND Flash产能,由于目前国际NAND Flash大厂的2Gb以下低阶NAND Flash芯片都陆续停产,将主力转攻16Gb和32Gb芯片等高阶产品,因此力晶目前的NAND Flash产品以低阶为主,获得不少模块厂和记忆卡制造商青睐。
力晶2011年宣布营运策略转向,舍弃DRAM品牌且降低代工生产比重,转攻其它利基型产品,之前师承日本大厂瑞萨(Renesas)的NAND Flash技术,开始成为力晶培植的重点,而力晶在NAND Flash产品上,主要以低阶容量产品为主,如2Gb、4Gb芯片,与国际大厂的主流规格有所区分。
目前国际NAND Flash大厂如三星电子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)、美光(Micron)、东芝(Toshiba)主流规格已达16Gb和32Gb芯片,且制程技术已往21、20纳米或19纳米制程技术迈进,低容量2Gb、4Gb芯片都已停产,因此力晶趁机卡位此市场。
群联日前正式以预付帐款方式,包下力晶2Gb的NAND Flash芯片产能,金额约3亿元,预计可在2012年6月中以前拿完货,同时也为群联建立另一管道的货源合作关系,对于力晶而言,目前营运资金相当吃紧,也算是一笔收入来源;之前劲永也同样包下NAND Flash产能,部分是折抵债务。
存储器业者指出,虽然NAND Flash制程技术演进快速,且容量不断提升因应内嵌式存储器动辄16GB、32GB,甚至于是固态硬盘(SSD) 128GB容量以上的需求旺盛,但其实低阶市场如随手机搭售的小型记忆卡市场需求容量仅2GB,芯片货源相当缺,因此力晶可顺利与多家下游厂建立合作关系。