三星研发30纳米服务器DRAM模块

存储器 中国闪存市场 Helan 2011-09-16 08:13
三星电子(Samsung Electronics)运用30纳米制程4Gb容量DDR3 DRAM,研发出服务器用16GB容量DRAM模块。三星表示,该产品可用1.25伏特(V)驱动,较既有40纳米制程产品耗电量缩减约60%。三星计划在9月16日于新加坡举办的三星半导体首席信息长(CIO)论坛中,公开该产品。
三星继过去推出1.5V和1.35V驱动产品后,再推出1.25V驱动产品,确保企业用服务器DRAM模块多元化产品阵容。三星除存储器容量为16GB的服务器DRAM模块外,也计划再推出4GB、8GB和32GB等不同容量DRAM模块,增加消费者选择。
三星存储器事业部副社长洪完勋表示,该产品不但满足服务器所要求的大容量、低耗电解决方案,且功能更上一层楼。为促进亲环境系统研发,未来三星将与服务器业者加强技术合作及共同营销策略。
另一方面,三星从2010年开始举办三星半导体CIO论坛。三星先后在德国及美国举办过论坛后,9月将于新加坡举办第3次论坛活动。

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