苹果(Apple)推出MacBook Air后,引领轻薄型笔记本电脑(NB)旋风,英特尔(Intel)也在2011年力拱超轻薄Ultrabook,对于存储器产业不论是DRAM或是NAND Flash都形成一定影响;在DRAM产业方面,经历DRAM报价大崩盘洗礼之后,原本系统厂对于内建的存储器模块升级至4GB容量的意愿不高,但未来Ultrabook将助长系统厂直接将4GB存储器嵌在PCB板上,加速4GB模块成为主流。
2011年第2季这一波DRAM报价大跌后,最大特色是并未刺激系统厂加速将存储器容量从2GB升级至4GB模块的意愿,业者分析,全球经济景气不佳、个人计算机(PC)买气不振、消费者荷包缩减等都是原因,因此即使DRAM价格已便宜到跳楼大拍卖,系统业者对于晋级至4GB模块的进度仍是声声慢。
不过,有业者看好英特尔力推与苹果MacBook Air抗衡的Ultrabook后,可望能加速让4GB模块成为系统主流,配合目前存储器大厂都将制程转进30纳米甚至是20纳米制程,单颗芯片容量主流由2Gb转进4Gb芯片,为符合Ultrabook极致轻薄的目标,DRAM芯片必须直接焊在主板上,有助于提升4GB存储器的需求规格。
再者,目前主流DDR3多采用1.5V为标准规格,但轻薄型笔记本电脑如Ultrabook等,对于省电和强化电池效能的要求极高,未来存储器大厂推出DDR3L(1.35V)的DDR3产品比重会提升,预计可节省10~15%的电力,配合Ultrabook的使用时间至少超过10小时。
Ultrabook未来势必会侵蚀部分笔记本电脑市场,并成为行动装置的潮流之一,对于DRAM产业,或许未必是大利多,但只要能刺激PC买气,都是好消息。
DRAM厂也认为,在Ultrabook不见得会让DRAM需求买上起飞,但至少在推动4GB模块成为系统主流上,具推波助澜功效,业者也乐见4GB存储器模块比重升高,能多消化一些DRAM产能,改善产业长期严重供过于求的情况。