8月下旬DRAM合约价再跌10% 惟现货价短线触底反弹

存储器 中国闪存市场 Helan 2011-08-26 08:16
DRAM现货价格跌破0.8美元后开始触底反弹,但8月下旬合约价仍重挫8~12%,主要是合约价和现货价中间的价差过大,使得合约价持续修正,预计9月合约价仍会持续下跌,但短线2Gb DDR3现货价可望守稳不再破底。
以整体大环境来看,个人计算机(PC)需求仍是低迷,供过于求幅度至少20%,即使已有DRAM厂进入减产期,但至少要减产20%才能回复供需平衡,预计年底前DRAM产业要走出谷底的机率甚低,春燕甚至要等到2012年第2季才能盼到。
DRAM现货价25日维持反弹格局,但反弹只是因为之前价格杀太低,加上太多良率过低的瑕疵品在市场上流窜,影响现货价走势,随著现货价跌破变动成本、DRAM厂惜售和减产后,2Gb DDR3现货价开始反弹,品牌颗粒有往1美元靠拢的意味,只差一步之遥。
然合约价走势则是持续探底,主要是合约价实在比现货价高太多,在两者价差过大、PC需求没有起色等情况下,两者价格势必要走入收敛格局,因此8月下旬合约价再跌8~12%,整体8月合约价跌幅超过20%,然目前与现货价差仍大,因此预计9月合约价还会再下修。
以目前DRAM市场供需来看,供过于求幅度至少高达20%,是少见的大缺口,在供给端上,PC市场太过疲软是主因之一,PC和笔记本电脑(NB)年成长率从年初以来一路下修,即使DRAM价格大跌,也未刺激PC内建的存储器容量搭载量提升,让DRAM的跌价趋势几乎没有停损点可言。
由于DRAM报价跌破变动成本,目前多家DRAM厂已启动减产机制,或是先将生产出来的货源放在Wafer Bank,减少市场上流通的货源,包括尔必达(Elpida)、力晶、瑞晶,海力士(Hynix)也有传减少标准型DRAM比重。
然整体来看,市场上库存水位仍高,加上PC出货量低迷,这些策略只能让现货价短期不再破底,但谈不上大格局反弹,合约价仍是有持续修正的压力。2011年底前仍看不到整个产业有要脱离谷底的迹象,悲观者认为复苏之日要等到2012年第2季。
存储器业者认为,如果DRAM产业要等到2012年第2季才逐渐复苏,意即还有3个季度要熬,对每一家DRAM厂的财务都非常辛苦,因此不排除会再出现整并。
美光(Micron)执行长Steve Appleton也表示,全球经济环境不佳,智能型手机和平板计算机的热卖压缩PC的销售量,也持续导致DRAM芯片价格大跌,有些业者可能会因此退出市场,或是被整并。
再者,为抵御DRAM价格持续恶化,三星电子(Samsung Electronics)年底前会导入28纳米制程,技术持续领先同业,预计成本会再下降20%左右,对于还在以40纳米或30纳米生产的DRAM同业,仍会形成一定压力。
以8月下旬合约价来看,2GB与4GB模块报价都持续下跌,分别跌12%和8%,报价来到10.75美元和21.5美元价位,以2GB模块合约价为例,2011年5月报价还有18.75美元,现在几乎腰斩,未来合约价再持续修正是必然趋势。

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