三星电子(Samsung Electronics) 17日表示,将采用3D矽穿孔(3D-TSV)技术研发出32GB容量DRAM模块。该产品采用30纳米制程下生产的DRAM。
3D矽穿孔技术为在数10微米厚度的芯片上直接进行穿孔,将芯片垂直排列后,以贯通电极连接的尖端半导体后端制程技术,如此一来,可提升半导体的速度和容量。
既有32GB服务器产品,每秒可传输800Mb容量的信息,三星3D 32GB DRAM则提升约67%速度,每秒传输1,333Mb信息。此外,耗电量也较旧产品缩减30%以上。
三星DS事业总括副社长洪完勋表示,三星3D 32GB DRAM模块,可满足大容量服务器对高性能、低耗电的要求。未来三星将会持续提升DRAM产品功能,强化高阶存储器芯片策略。