韩国DRAM业者加速20纳米产品研发 拟年内投产

存储器 中国闪存市场 Helan 2011-08-10 11:12
据报导,为保持竞争优势,业界人士于9日透露,包括三星电子(Samsung Electronics)以及海力士半导体(Hynix Semicondutor)在内的韩国DRAM业者正在加速研发20纳米存储器模块,并同步建立产线,预计在2011年大规模生产。

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