台系3大DRAM厂上半年合亏310亿元 力晶2Q亏损遽减

存储器 中国闪存市场 Helan 2011-07-20 07:58
台系3大DRAM厂2011年第2季合计税后亏损逾新台币130亿元,合计上半年亏损逾310亿元,其中力晶的营运在转型至晶圆代工型态后,第2季亏损已大幅缩小至12.14亿元,南亚科和华亚科单季合计亏损仍是超过百亿元;展望下半年,南亚科和华亚科布局Mobile RAM和服务器DRAM成果已开始发酵,目标是在年底前,将非PC产品线营收比重提升至50%,而力晶在转进40奈米制程同时,也持续多角化布局产品线。
力晶第2季开始转型为代工业务型态,远离PC应用的产品线包括LCD Driver IC、NOR Flash代工、NAND Flash代工、利基型内存(SDRAM)、CMOS Sensor、电源管理芯片和晶圆代工等,尽管第2季标准型DRAM价格较前一季明显下滑,但在业务多角化布局,晶圆代工业务持续稳定成长下,让力晶第2季财报亏损遽减。
力晶自结第2季财务总营收,达新台币122.8亿元,税前和税后亏损为12.14亿元,相较于第1季亏损49亿元,亏损大幅减少,换算2011年第2季每股亏损0.22元,合计2011年上半营收为232亿元,税前和税后亏损皆为61.78亿元,换算每股亏损1.12元。
力晶科技副总经理暨发言人谭仲民表示,该公司晶圆代工业务持续稳定成长,40奈米制程产出顺利带动2Gb主流产品出货大增,尽管第2季标准型DRAM价格较前一季明显下滑,但在业务多角化以及DRAM产品组合优化的带动下,业绩得以逆势逐月上扬,第2季总营收也较上一季增加12.36%。
力晶第2季除了产品组合优化带动财报亏损减少外,40奈米制程比重提升也是主因之一;展望第3季营运,发言人谭仲民表示,日前采购的第3台浸润式曝光机已顺利入厂安装,将可加速转进40奈米制程,且为转进30奈米制程做准备,可降低生产标准型DRAM的成本。
根据力晶规画,在年初宣布转型为代工厂,退出第一线标准型DRAM销售和品牌后,会一步步提升晶圆代工和非PC产品线,目标是年底前将50%以上的12吋晶圆产能转到代工业务,降低标准型DRAM业务比重偏高的景气循环风险,一方面可减少庞大的资本支出负担,另一方面在不做品牌后,也不用再支付权利金等给技术母厂,在此内存环境艰巨之时,可控制公司的现金流量和达成多元化发展目标。
南亚科2011年第2季营收为114.69亿元,较上季成长约7%,营业净损65.3亿元,税后亏损79.03亿元,换算每股税后1.96元;南亚科第2季出货量较第1季成长2%,DRAM平均售价则增加10%。
华亚科第2季营收为101.57亿元,营业亏损34.84亿元,税后亏损39.1亿元,每股税后0.84元。
在第2季的位成长率(Bit Growth)方面,南亚科第2季产出位成长率达20%,但因标准型DRAM价格不佳,公司策略决定惜售,因此出货位成长仅2%;华亚科方面,第2季位成长率减少,但出货位成长率小幅成长4%。
展望第3季位成长率,南亚科预期第3季位成长将较第2季成长10~20%;华亚科预计在 42奈米产出大增下,预估第3季位出货量将较第2季成长约25%。

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