据报导,三星电子(Samsung Electronics)即将投入现有NAND Flash生产设备中最微细的21奈米电路线幅产品量产流程。为抢夺全球半导体市场主导权,各半导体业者间展开激烈竞争,一面加速开发可制造出微型芯片的微细制程,以确保成本竞争力,另一方面为开发次世代尖端半导体,也不排除与竞争对手进行合作。
三星成功率先投入21奈米NAND Flash量产,将可守住在NAND Flash业界领先地位。2011年第1季,三星在NAND Flash市场上以营收计算的市占率为35.9%,排名第1;日厂东芝(Tochiba)以0.3%的微小市占差距紧追在后。三星量产21奈米NAND Flash后,可望成为稳固业界排名的契机。
三星相关人员表示,三星在27奈米制程NAND Flash后,终于也将投入下个世代的产品量产流程,然具体制程则无法对外公开。21奈米制程较现有的27奈米制程的生产性,提升50%以上。
三星2010年4月开始量产27奈米NAND Flash,开启全球20奈米等级制程的时代,经过1年3个月,三星即发展到21奈米产品,展示其独步全球的技术水准。为在技术开发的竞争中不被NAND Flash业界排名第2和第3的东芝和海力士(Hynix)追过,三星卯足了全力。
而半导体后继业者为加速开发次世代半导体,正积极寻求合作伙伴。海力士日前确定将与东芝共同研发次世代内存STT-MRAM,除共同研发外,也将设立合资公司共同生产,并延长既有的专利交叉授权及产品供应合约。
东芝为全球内存芯片排名第3的大厂,MRAM技术和开发能力方面相当具有竞争力,全球内存排名2、3名的企业互相合作,也大幅提升成功的可能。
MRAM与既有内存芯片相比,可以较低耗电量运作,具有无电源供应也能储存信息的非挥发性优点,稳定性相当高。
海力士社长权五哲表示,MRAM运作速度快,耗电量较低,具有高信赖性等,拥有现存内存的各种优点,将会是满足新行动装置需求扩大、产品需具备高性能的新时代内存最佳产品。
另外,东芝7月底将在日本三重县八日市新半导体厂中,以19奈米制程量产NAND Flash,目前东芝主要量产24奈米制程产品。海力士在技术竞争中也不落人后,将于2011年第4季以20奈米制程量产NAND Flash。
另一方面,主要DRAM芯片价格进入历年来最低水平,据统计,1Gb容量DRAM产品7月上半价格较6月下半下跌9.09%至0.84美元。2Gb产品2011年上半的价格也下跌8.25%至1.78美元,再打破先前最低价1.84美元。