日本DRAM龙头厂尔必达(Elpida)15日发布新闻稿宣布,已研发出全球首款采用高介电/金属闸极(HKMG;high-k/metal-gate)技术的40nm制程2Gb DDR2 Mobile RAM(LPDDR2)产品。
尔必达表示,和现行采用硅酸化膜(silicon oxide dielectric)技术的DDR2 Mobile RAM产品相比,采用HKMG技术的Mobile RAM的晶体管导通时电流(on current)最大可增至1.7倍、关闭时电流(off current)则可缩减至1/100以下,将可大幅删减DRAM的待机电力。
尔必达表示,今后将持续评估及改良HKMG技术,计划于今年度内(2012年3月底前)进行样品出货并开始量产采用30nm、25nm制程的产品。