台DRAM厂喊进30奈米追三星 制程竞赛未结束

存储器 中国闪存市场 Helan 2011-06-14 16:54
DRAM产业制程竞赛宿命还没有结束!正当台系DRAM厂今年忙着提升40奈米良率的同时,韩国三星在30奈米的技术已经步入成熟阶段,因此台系DRAM厂投入40奈米技术不到一年的时间,为了追上三星的速度,今年势必快速转进30奈米,也可以看到每一世代技术的寿命已经有越来越短的趋势了。
尔必达(916665)先前授权国内DRAM厂以63奈米微缩技术,整整存活了2年之久,也让相关厂商跳过50奈米制程,直接进入到40奈米,不过由于要进入40奈米,必须采用造价昂贵的浸润式机台,当时的确带给国内DRAM厂不少资金压力,加上整体半导体产业对于浸润式机台需求强劲,更是出现交期严重递延的情况。
DRAM制程往下走入40奈米之后,竞赛更加激烈,尤其龙头厂三星遥遥领先一个世代,傲视同业,而台塑(1301)集团旗下DRAM厂南科(2408)、华亚科(3474)因技术合作伙伴奇梦达宣布倒闭,被迫重新选择新的技术伙伴,辛苦从沟槽式转为堆栈式制程,短短一年半的时间,追赶了4个制程世代。
尽管DRAM市场持续面临供过于求的窘境,不过DRAM厂在制程的竞赛上却丝毫不停手,目前仅有力晶(5346)宣布转战晶圆代工市场,退出标准型DRAM,茂德(5387)则因财务状况不佳,而陷入存亡之虞。DRAM产业的版图变成日、韩以及美系阵营,日本尔必达旗下代工厂瑞晶(4932)总经理陈正坤就说,大家投入DRAM制程,这就像各国之间的武力竞赛一样,不管技术、良率为何,没有就是不行。
属于美光阵营的南科发言人白培霖也说,过去平均一个世代的寿命大概可以达到一年半到2年,不过现在却是一年一世代,而且每一次技术转换,至少就会增加40%的位出货量,以这样的速度来看,DRAM产业还是无法摆脱供过于求的宿命。
以40奈米来说,目前为国内DRAM厂包括南科、华亚科、瑞晶的主流制程,不过40奈米正式量产的时间才半年多而已,良率问题还有待加强的同时,现在又喊将转进30奈米,其中南科预计7、8月就可以投片试产,而瑞晶进展速度较快,预计今年底将100%转进30奈米,而韩国三星则已经往20奈米发展,因此接下来,30奈米的技术又能撑多久,成为大家心中的问号。

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