据报导,惠普(HP)研发人员开发次世代内存技术又见进展,当前已可一窥忆阻器(Memristors)在电流运行时的内部化学作用与架构,可望成为取代闪存与DRAM的技术。
据报导,惠普科学家早先已于实验室研制成忆阻器,然当时对于忆阻器内部作用所知不多,虽然惠普有自信将忆阻器技术商品化,然惠普资深研发人员Stan Williams指出,现公司能一窥忆阻器内部奥秘,便可大大提升忆阻器效能。
1971年加州柏克莱大学(University of California, Berkeley)教授Leon Chua率先提出忆阻器的概念,在此之前,科学家仅知道电阻器、电容器、电感器等3种电路组件。数10年过去,惠普科学家证明忆阻器确实存在,并表示忆阻器可切换成不同的电阻,以代表0或1,进而应用在数字运算上头。
然因忆阻器体积微小,科学家虽然知道忆阻器可进行电阻切换,却无从观察起,惠普近来的突破,则是藉助高度聚焦的X射线标出约100奈米宽的通路,以进行电阻转换观察,并标记出通路内的化学反应与架构,进而加深对忆阻器的了解。
以忆阻器打造的内存称为ReRAM,其运作方式与DRAM相反,即便在未通电的情况下,亦可存储数据,而DRAM若一旦断电,原先存储的数据便荡然无存。
Williams推估,惠普的忆阻器技术可望于2013年中达到量产应用。日前惠普便已打造出内存样品,每平方公分可存储的数据量可达12GB,该款样品采用15奈米制程与多层设计,将4层记忆单位层层相迭。
由于芯片制程技术进步,芯片上的记忆单位越缩越小,当前已接近物理极限,不容科学家再提高内存密度。闪存最有可能率先达到极限,Williams估算,制程若再进步1~2代,恐在4年左右便达瓶颈。
至于DRAM寿命周期则约略长于闪存。当前研发人员正在打造数种内存,以取代闪存与DRAM,忆阻器仅为其1。另一方面,内存制造商亦可延长制程技术寿命,1年半至2年间皆使用同1代制程技术,延缓制程技术升级。