NAND Flash需求从云端摔落 然2大应用力撑 厂商续扩产

存储器 中国闪存市场 Helan 2011-05-10 08:43
NAND Flash市场在智能型手机及平板计算机需求热络推波助澜下,2011年声势再度攀上顶峰,然因4月传统淡季袭击,终端需求意外从云端摔落,并反映在内存模块厂4月营收表现上。内存业者表示,由于日本311大地震发生后,下游厂商备太多货,遇上第2季需求突然降温,使得NAND Flash相关业者4月营收都受到波及,下滑幅度分别达10~20%。
内存厂指出,目前NAND Flash市场主要区分为2大块,第1块是传统快闪记忆卡和随身碟市场,从2011年初以来,这块市场需求急速降温,成为模块厂失去营收成长动力预警,尽管日本311强震之后,由于下游通路商担心NAND Flash芯片断货,遂出现一波追价补货潮,但很快便恢复平静。
NAND Flash第2块市场则是近期由智能型手机和平板计算机所延伸出来的固态硬盘(SSD)和eMMC等内嵌式内存需求,需求热度较传统记忆卡市场好太多,不过,由于苹果(Apple)之外的平板计算机后势不明,加上日本限电对于产业链形成影响,亦让SSD和eMMC近期需求有点踩煞车情况。
模块厂表示,进入第2季传统淡季之后,由于终端市场需求大幅降温,加上之前日本大地震后,下游通路商一下子备太多货,导致目前市场还处于消化库存阶段,影响各家业者第2季业绩,包括群联、创见、威刚等模块厂4月营收都有10~20%跌幅,但只要NAND Flash报价不要出现急跌,厂商仍可守住毛利率,静待淡季效应过去。
内存厂认为,NAND Flash应用由外接转向内建后,模块厂在传统记忆卡战场成长力道逐渐流失,然上游NAND Flash大厂藉由SSD东山再起,以及eMMC等内嵌式内存需求崛起,近期扩产动作显得气势如虹,包括三星电子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)、东芝(Toshiba)、美光(Micron)、英特尔(Intel)等厂商都有扩产计划,没有业者缺席。
其中,三星和海力士2011年NAND Flash位成长率(bit growth)将分别超过80%和100%,三星兴建Line-16生产线,亦将以投产NAND Flash为首要目标,预计2011年下半将贡献产出,未来三星在半导体产业投资将以NAND Flash为主。海力士虽没有盖新厂,但亦持续扩充既有M11厂产能,第1季M11厂每月产能已拉升至10万片,较预定目标时程提前约1季。
英特尔和美光亦在4月共同宣布启动新加坡12吋晶圆厂,原本美光已在2010年底动工,英特尔则是后来宣布加入,亦让业界不再怀疑英特尔投资NAND Flash产业的决心,预计新加坡厂会是未来英特尔和美光NAND Flash产能主要成长动力来源。
至于东芝与新帝在日本四日市的新12吋晶圆厂Fab 5,亦早在2010年中率先宣布启动,继续与三星缠斗NAND Flash龙头宝座。
内存业者指出,上游4大NAND Flash阵营积极扩产,主要是看好智能型手机和平板计算机需求后势,若这2大应用领域成长能如预期强劲,厂商并不担心供给会压过需求,因为长期来看,供给和需求都是同步往上攀升。

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