尔必达:将7月批量生产25纳米的DRAM晶片

存储器 中国闪存市场 Helan 2011-05-02 20:36
全球第3大DRAM厂尔必达(Elpida)2日发布新闻稿宣布,已研发出一款采用全球最先端25nm制程技术的2Gb DDR3 SDRAM产品,并计划于今(2011)年7月开始进行送样及量产,且量产对象将于今年年底扩增至4Gb DDR3 SDRAM产品,之后也计划将该25nm制程技术应用于Mobile RAM上。据日经新闻报导,尔必达将成为全球首家量产25nm产品的DRAM厂,且在制程细微化的脚步上也将超越竞争对手南韩三星电子。
尔必达表示,和该公司30nm产品相比,25nm 2Gb产品每片晶圆的芯片产出量将增加约30%(若为4Gb产品则可增加44%)、消耗电流也将进一步减少(动作时减少约15%、待机时减少约20%)。尔必达指出,此次研发完成的25nm 2Gb产品可支持DDR3-1866(1866Mbps)的超高速动作,并可支持低电压(1.35V)高速版的DDR3L-1600(1600Mbps)。
尔必达甫于4月27日宣布,计划利用日本广岛工厂与台湾子公司瑞晶电子(4932)正式量产采用30nm制程的DRAM产品。其中,广岛工厂将于今年5月开始进行量产,瑞晶则将于今年7-9月时进行量产。

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