日本强震造成NAND Flash大厂东芝上半年产出约减少10%,短期价格上涨后,由于整体市场仍是供过于求。
日本强震造成日本储存型快闪存储器(NAND Flash)大厂东芝上半年产出约减少10%,预估今年全球NAND Flash 全球总供给量约减少4%,不过,在恐慌性买盘结束后,第二季会跌回合理价位。
根据最新的调查,NAND Flash上周受到日本大地震后信息不明及预期缺货的恐慌性抢料买盘推升,现货价一度单日上涨逾22%,连带也带动3月上旬主流NAND Flash合约均价大涨约5%到15%。
市场预期会缺货,主要是担心东芝位在四日市的NAND Flash工厂短期无法复工,以及上游的原物料和设备供应商也因限电和供电不稳,以及联外运输等基础设施损毁,担心NAND Flash供料无法短期恢复。
不过,最严重的即是信越化学的硅晶圆产能无法短期复原,信越半导体是全球主要的IC硅晶圆供应商之一,但若能在一个月内回复到正常稳定生产状况,今年应不致造成缺货。东芝主要NAND Flash生产线受影响相当轻微。
日本半导体相关业者对厂房设施的设计及建造均有预先做防震的考虑,厂房的毁损并不很严重,反而是供电不稳问题较大;其次,日本主要NAND Flash厂商都有采取分散硅晶圆采购来源,库存水位约在一个半月到二个月左右,短期而言,尚不至于影响到NAND Flash厂商的正常生产。
根据日本大地对东芝及晟碟(SanDisk)阵营所造成的晶圆减损量,推估将造成东芝今年上半年Nand Flash总产出减少约10%以下,换算今年全球NAND Flash总位供给量约减少4%以下,有助缩小供过于求的缺口。
不过,因今年上半年非苹果体系的平板计算机销售不如预期,加上未来三到六个月是记忆卡的传统淡季,预料在日本大地震相关供应不确定因素解决后,NAND Flash价格会回到较合理价位,业者推估,NAND Flash应不至于再飙涨,但全年均价跌幅会减缓。