受强震影响,日本国内电子、半导体业者遭到前所未有的打击,DRAM及快闪存储器(NAND Flash)等存储器芯片在现货市场上的价格急涨,原本在谷底徘徊的产品合约价是否会随之上扬,也引起业界关注。
据统计指出,14日上午现货市场上交易的DRAM主要产品DDR3 1Gb 128Mx8 1333MHz价格为1.11美元,较前一交易日收盘价上扬6.73%。而最具代表性的快闪存储器产品16Gb 2Gx8 MLC现货价格也从4美元上涨12.5%至4.5美元。
全球市占率排名前3名的日本电子、电机及半导体业者因强震产生直接或间接的影响,出货航运也不顺畅,引发业界对供货的不安。一般DRAM及快闪存储器皆以合约价进行交易,只有极少量会在现货市场上直接交易。
3月11日发生地震时DRAM代表性产品128Mx8 1066MHz在3月前半的合约价为0.88美元,维持与2月后半相同价格。该产品价格2010年后半价格急遽下滑,虽然近来跌幅趋缓,1月前半之后的2个月期间维持在0.88美元,但对韩厂三星电子(Samsung Electronics)及海力士半导体(Hynix)等的营收皆产生不良影响。
进入2011年后,16Gb快闪存储器合约价维持在3.56美元,2月后半微幅下跌至3.5美元。韩国专家指出,伴随强烈地震引发的生产及供应疑虑等造成现货价格攀升,合约价可能也会出现短暂的上扬。
据韩国知识经济部表示,全球排名第3的DRAM厂尔必达(Elpida)由于产线位于日本南端的广岛县,未有严重灾情传出。而排名全球第2的东芝(Toshiba)位于三重县的工厂则因地震曾短暂关闭。此外,系统半导体方面,东芝、瑞萨(Renesas)等主要企业工厂皆邻近地震灾区,损害影响相对较大。