在担忧上游硅晶圆缺货之下,DRAM现货报价全面大涨,DDR3 2Gb品牌颗粒与eTT颗粒,劲扬6.79~7.25%,品牌颗粒报2.14美元;快闪型记忆体(NAND Flash)更出现暴涨走势,32Gb MLC最后一盘价格飙涨20.48%。
日本东北大地震之后的第一个交易日,记忆体类股表现两样情,尔必达因广岛厂位居日本,即使该厂已恢复生产,仍不敌3月合约价没有顺利起涨的失望性卖压,引动日本现股杀盘,单日重挫12.14%,收盘价跌破1,000日圆大关,尔必达台湾TDR开盘即无量跌停;但日系以外DRAM厂像韩国三星涨4.4%,海力士涨8.7%,台湾力晶、南科、华亚科均涨停。
在状况未明之下,记忆体颗粒原厂三星、Hynix、力晶(5346)联手停止报价。
日本东北大地震对半导体产业冲击仍在估计当中,但是记忆体报价却因为NAND Flash供应商东芝的工厂位于日本东北,以及DRAM颗粒原厂评估震后损失暂停报价,导致DRAM与NAND现货先涨再说,双双上演飙涨走势。
受到半导体的硅晶圆供货吃紧影响,在DRAM现货市场方面,韩国三星、Hynix开始停止报价,力晶已经暂停DRAM现货报价。
已经停止报价的力晶表示,因为目前状况不明,上周五暂停报价之后,何时恢复报价还无法确定;南科虽然现货持续报价,却会弹性调整,南科副总经理白培霖表示,大地震之后并没有感受到客户疯狂抢货的意图,但是通路上的库存本来就低,在预期断料导致拿不到货的预期心理下,的确是会激励一些买盘抢进,南科认为,大地震对需求推升至少要等重建之后,才会有激励作用。
DRAM原厂虽然暂停报价,然因为通路商还有零星交易,因此现货报价仍开出现货价格,根据该网站的报价显示,DRAM现货走势呈现飙涨,一整天的上涨幅度最高逼近7%,NAND更一度飙涨近20%,堪称今年以来最骠悍的走势。
业者指出,NAND涨势更甚DRAM主要是因东芝为全球第二大供应商,该厂位居东北,NAND今年因为平板电脑热备受看好,需求比DRAM更为殷切,领导厂商如果原材料断炊,势必有缺货之虞,在此预期心理下,推升买盘涌入。
根据现货价显示,DDR3 2Gb颗粒价格大涨6.79~7.25%,NAND Flash更因iPad2改用东芝的NAND Flash,导致32Gb MLC现货爆涨20.48%,是单日涨幅之冠。
而记忆体类股昨日以尔必达独憔悴,除日本东北大地震,引发供货断炊的联想之外,昨日开出的3月上旬合约价,并未如原先预期出现上涨走势,各规格合约价相继以平盘开出,与尔必达社长坂本幸雄预测的涨幅出现落差,冲击尔必达的股价表现创2011年以来新低纪录。
而合约价没顺利起涨,也影响到合约大厂南科股价,南科以合约市场为主,昨日虽见到涨停,但收盘价未能守住涨势,以现货市场为主的力晶反成追价标的。
另外东北大地震的记忆体受害股以旺宏首当其冲,旺宏为日本任天堂3DS游戏机的ROM(唯读记忆体)供应商,市场忧心日本国难之后,会浇熄市场买气,冲击旺宏股价表现。