日本311强震对内存影响

存储器 中国闪存市场 Helan 2011-03-15 08:24
日本2011年3月11日下午于宫城县三陆外海发生规模9.0级的百年强震,虽然日系两大内存厂东芝(Toshiba)和尔必达(Elpida)内存厂房并不在灾区附近,但仍对于整个半导体供应链直接或间接产生巨大影响。
震央附近的岩手县,其半导体厂包括东芝、富士通、Sony等,其中东芝位于岩手县的厂房主要以逻辑芯片、消费性芯片为主,与NAND Flash芯片无关,而Sony受到此次地震影响最大,关闭其中6座生产线。
东芝的NAND Flash厂房虽然不在灾区,但也受到强震波及而短暂停工,加上在地震之前3月8日,东芝四日市12吋晶圆厂也出现停电现象,因此NAND Flash未来产能吃紧问题恐日益严重。
尔必达的生产基地位于广岛厂,属于日本南边,受到强震直接波及较小,但地震当天厂房也短暂发生暂停运作,但随即复工,而秋田封测厂则因为电力问题而无法实时复工,但整体而言,不论是尔必达或东芝,强震之后面临最大两个问题,一个是货品运输困难度大增,另一个则是硅晶圆材料恐短缺的问题。
全球最大硅晶圆供货商信越半导体市占率超过30%,信越半导体的1座厂房邻近地震灾区,尔必达和东芝的硅晶圆大部分都是信越提供,因此未来硅晶圆是否有断炊疑虑,是外界最担心之处,也因此DRAM和NAND Flash报价都以大涨响应,且竞争对手三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)也都停止报价,静待2家日系大厂公布真正损失状况。

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