DRAM价止跌 市场估第2季开始回升

存储器 中国闪存市场 Helan 2011-03-04 08:22
记忆体晶片价格近3个月来跌落至1美元以下,近期已有止跌迹象。许多市场专家认为,2011年第2季记忆体晶片市况应可恢复成长局面,半导体业者更期望第1季末时,DRAM价格就能够开始反弹,而3月将分别发表上、下半月的合约价,成为未来DRAM价格变动趋势的关键。
据报告指出,2月上半DDR3合约价已经止跌,并开始维持现有的价格,第2季价格可望开始回升。
最具代表性的DRAM产品DDR3 1Gb 128Mx8 1066Mhz合约价进入2011年后,从1月上半的0.91美元,微幅下跌至1月下半的0.88美元,2月则维持了相同的价格,证实DRAM价格下跌的趋势已经有所缓和。
该产品价格在2010年3~4月时,大约是2.7美元,9月下半价格下滑至2美元后,12月下半再度跌破1美元防线,出现急遽下滑的走向。不过,近来DDR3 1Gb的价格跌幅已经趋缓,近2个月的价格皆维持在0.88美元。
由于智慧型手机(Smartphone)、平板电脑(Tablet PC)及云端运算等需求日益增加,DRAM制造商纷纷将设备转为行动DRAM或伺服器记忆体方面,让DRAM供货过剩情况已经有所改善。
英特尔(Intel) 2月中旬解决了晶片组产生的问题,至2011? ~第1季末完成平时的出货量,对钝化的DRAM需求心理稍有帮助。DDR3 1Gb 1333Mhz现货价格较合约价高出24%,大约为1.09美元,也间接为DRAM价格回升的可能性背书。
2011年行动DRAM市场受到智慧型手机和平板电脑需求增加,可能成长至2010年的2倍,占全球DRAM产量18%。4Gb、8Gb行动DRAM价格各为14美元、28美元,1Gb平均3.5美元。这较一般DRAM价格的0.88美元,至少贵了4倍左右。
行动DRAM市场由三星电子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)、美光(Micron)、尔必达(Elpida)等DRAM国际大厂总共掌握了90%以上的DRAM市场,其中南韩业者更是掌握了70%的DRAM市占率。
南韩半导体企业首长对于半导体的未来,都是抱持相当乐观的看法。三星半导体社长权五铉2011年1月底时曾表示,DRAM价格在第2季时可望反弹,DRAM价格回升的? 髐]可能较预期更快到来。
海力士社长权五哲也曾表示,目前DRAM市况应该已经触底,他判断2011年半导体的市况可望开始恢复过去的荣景,但是仍然要观察市场整体的供需情况而定。
 

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