三星电子(Samsung Electronics) 2010年第3季首度将DRAM市占率提升至40%,2011年更计划年底前要把市占率提升至45%水平。除了提升技术能力,与后进企业扩大至1年以上差距,更将进一步极大化DRAM市场支配能力。
三星2011年设定目标,期望将DRAM全球市占率较前年提升5个百分点至45%,持续进行扩产。三星半导体事业部常务金明浩表示,2011年就DRAM整体而言,年度DRAM产能位成长率估计达到50%后段,但三星计划要成长超过60%。三星计划在2011年第1季将位成长幅度提升2位数字,市占率提升至42~43%。
三星2010年在内存领域投资近10兆韩元(约90.6亿美元)将DRAM产能位成长率提升至60%后段,较整体DRAM产能位成长率高20个百分点。
据报告指出,三星的市占率2009年第3季为35.4%,2010年第3季为40.7%,已提高5.3个百分点。2010年第4季市占率也较第3季增加1个百分点达41.7%。
三星2011年计划扩大行动装置DRAM、服务器等高附加价值DRAM产能,将以销售为基准的市占率位成长提升至45~50%。该研究员表示,2010年三星对内存执行的大笔投资效果2011年将会充分反映在产能成长上。
三星提升DRAM市占率,除能维持与计算机业者等客户在进行价格及供应协商时的有利地位外,也将以与后进业者的技术差距确保其不被动摇的竞争力。
2010年第4季竞争对手尔必达(Elpida)获利出现大规模赤字,台厂也写下负50~70%的损益率,三星半导体事业营业利益仍维持在20%水平,便归功于三星扩产提升市占率的策略。三星官方表示,三星将不畏市况变动,透过持续的投资及研发以维持高度的竞争力。