海力士半导体(Hynix)27日发表财报,2010会计年度营收达12.1兆韩元(约108.41亿美元),营业利益为3.27兆韩元(约29.33亿美元),净利为2.66兆韩元(约23.8亿美元)。海力士在各方面皆写下新高纪录,与2009年相比时,营收增加53%、营业利益成长16倍以上,营益率则增加25个百分点,达到27%。海力士交出漂亮的成绩单,对外表示即使面临骤变的市况,海力士仍成功转换为次世代微细制程,改善产品结构等,因而提升了事业竞争力。
即使是在半导体价格大跌的2010年第4季,海力士仍创造出盈余。海力士第4季营收2.75兆韩元(约24.65亿美元),营业利益4,180亿韩元(约3.75亿美元),净利1,100亿韩元(约9,059.7万美元),与2009年第4季相比,虽然营收及营业利益各减少2%和41%,但在全球市场上,半导体及闪存(NAND Flash)售价皆大幅下跌的情况下,已算是相当不错的成绩。
海力士表示,实际上第4季DRAM出货量较2010年第3季增加,但平均售价下跌28%,闪存出货量也同样增加32%,但平均售价降低12%。
不过 Hynix 对后续展望并不悲观,认为新式电子设备的推陈出新,将有助提振 DRAM 需求。该公司强调,将持续扩张高利润产品,目标维持稳定的获利成长。
海力士认为未来新的IT装置将会陆续上市,内存可应用范围增广,将带动内存半导体需求成长。因此海力士需要确保技术及产品竞争力的优势,并扩大高附加价值产品比重,追求以收益性为主的优质成长。
2010 上半年走坚的 DRAM 芯片,从下半年开始跌价,原因是欧美等已开发国经济迟缓,影响电子产品的消费需求。不过分析师认为,多元化的产品组合,加上更强的 NAND 研发技术,有助 Hynix 抵御芯片价格下挫的不利因素。
专家还说,Hynix 获利已在去年第4季触底,将推新产品的 PC 厂可望启动库存回补。
现代证券近日发表研究报告表示,今年首季 DRAM 价格可能续跌,但应不会掉到 0.8 美元的现金成本之下。市调机构 iSuppli 却认为,价格恐怕将再跌 6 个月。
Hynix 表示,去年第 4 季期间,DRAM 平均售价下跌 28%,降幅较前一季扩大,NAND 降幅则缩小至 12%。第 4 季 DRAM 单位出货量,较前一季增加 18%;NAND 成长 32%。
Hynix 日前稍早曾说,2011 年资本支出预计 3.4 兆韩元 (约30亿美元),与去年的 3.38 兆韩元差不多,其中多数将用于技术升级,并提高 NAND 产能。
海力士2010年底40奈米级DRAM生产比重增加至50%,并将持续扩大2010年底完成开发的30奈米级制程产品比重。
至2010年底为止,行动装置、绘图内存(Graphic DRAM)、服务器用DRAM等产品占DRAM整体营收60%以上,海力士也计划将这些高附加价值产品比重提升至70%以上。闪存2010年底时30奈米级和20奈米级产品比重已扩大至85%。
另一方面,2010年借入资金规模减少至1兆韩元,现金资产则持续维持在2兆韩元以上,已提升财务结构健全性。