据报告,重申力成评等、目标价为加码、130元,预期DDRIII1Gb平均单位售价(ASP)已处于底部,预估2011年三月价格约落在0.8美元,约自今天再下滑15-20%,看好力成为台湾DRAM供应链中最能受惠于DRAM价格反弹的概念股,并类为封测族群首选。
力成将受惠于东芝将于今年第二季量产新的NAND Flash Fab,并同时增加委外代工趋势,将力成列为台湾封测厂首选,看好力成股价还有三成上档空间。
由于新台币升值,预估力成2010年第四季毛利率约季减300个基本点至25%,略微高于公司展望的季减150-200个基本点,并预估力成2011年第一季营收约季减5-10%,且毛利率则因季节性影响仍存有压力。
预期力成2011年首季营收因淡季影响而呈单位数下滑,然而已观察到DRAM价格反弹前的价格环境已走稳,并预期力成将受惠于短线来自尔必达及Rexchip的45纳米制程转移,系因所需测试时间较长,预估2011年首季DRAM封装及测试ASP季减约3%,以反应樽节成本及效率转佳。