元月上旬DRAM合约价出炉,DDR3 晶片持续重挫逾6%,报价面临持续探底危机,为力晶(5346 )、南科、华亚科等本季营运增添不确定性。
DRAM厂去年第四季法说会由南科、华亚科24日领头登场。法人指出,去年第四季DRAM价格大跌逾五成,本土多数DRAM厂恐陷入亏损,南科、华亚科全年转盈目标确定落空。元月上旬合约价续跌,加上新台币汇率持续走强,业者压力仍在。
元月上旬1Gb与2Gb DDR3晶片合约价同步重挫逾6%,均价各为0.91与1.81美元,都创下历史低点,1Gb晶片均价仅剩去年同期约三成。模组价格也重挫逾5.5%,2GB与4GB DDR3模组均价各为17与34美元。
利基型规格晶片走势更显疲弱,256Mb DDR与512Mb DDR2跌幅都超过12%,128Mb SDRAM跌幅也逾8%。
近期DRAM股走势出现跌深反弹,DRAM股今走势强劲,领头的华亚科 (3474)今年开红盘以来,已反弹逾15%,买盘强劲,但与过去不同的是,现货价并未因此而有反弹现象,反而持续走弱,1月上旬DRAM合约价也未如市场预期将止稳,仍持续破底。
业者坦言,目前市场需求仍相当弱,面对价格持续探底,仅能先透过制程提升、增加产出方式应对。
南科、华亚科主要强化42奈米技术;力晶一方面导入40奈米制程,一方面与子公司瑞晶供货也有转变,瑞晶过去供货力晶,以1Gb DDR3晶片为主,为降低跌价损失压力,日后瑞晶将大量供应力晶售价较高的主流2Gb DDR3晶片。
DRAM市场已供过于求多时,预期本季1Gb DDR3晶片价格修正至0.8美元附近后将可落底,但未来三至六个月均价仍不易突破1美元大关。
预期此波价格可能要等到下游系统厂6月开始为旺季备料时,才有机会开始回升,预期下半年1Gb DDR3晶片价格有望攀升至1.2至1.3美元。