力晶科技(5346)11日宣布正式展开2Gb DDR3 DRAM 40奈米制程投片量产,加上自瑞晶电子(4932)取得的产能,可望提前在第一季大量运交2Gb DDR3 DRAM;同时,力晶也说,消费性电子市场的前景看好,下游客户积极预订产能,再加上自力研发的40奈米闪存开始出货,将带动下半年晶圆代工和自有产品业务比例扬升,营运新策略的绩效将逐渐显现。
针对力晶、尔必达与瑞晶三方的合作关系,力晶董事长黄崇仁指出,三家公司甫于日前达成产销合作的新协议,力晶将可持续取得瑞晶产能,同时,三方也将延续以往长期合作的良好关系,就研发、制造资源的整合,研拟更有效率的合作模式,以便未来合适的时机,在瑞晶既有的合资平台上,扩大力晶与尔必达的联盟格局。
黄崇仁表示,力晶虽在去年第四季才导入浸润式曝光机,但试产40奈米制程技术的进展十分顺利,由于良率爬升快速,该公司已决定大量投片生产40奈米、2Gb DRAM,并继续在本季引进浸润式曝光机,扩大40奈米产能,逐季增加2Gb DDR3 DRAM出货,至下半年将全面转进40奈米世代,并于第四季投入30奈米制程。
随力晶开始量产2Gb DDR3晶片,台湾主要DRAM厂都将以2Gb DDR3为主力。南科(2408)、华亚科(3474)去年便已透过50奈米制程,生产2Gb DDR3晶片,现正积极提升至42奈米制程,预计最快本季末、第二季初开始投片,藉由制程微缩降低成本,提升战力。
他指出,自本月起力晶开始依协议向瑞晶采购2Gb DDR3 DRAM,将可有效满足主力客户的2Gb产品的需求。该公司的DRAM业务在本季将可加速跨入2Gb主流市场,依供需状况分析,DRAM市场将在第一季落底,未来景气可望随下游需求回升而加温,对力晶营运展望有正面的帮助。
此外,力晶自力研发的40奈米快闪记忆体也开始出货,将带动下半年晶圆代工和自有产品业务比例扬升,对力晶营运有正面助益。他认为,力晶下半年代工产能有机会供不应求。
在晶圆代工业务的拓展,黄崇仁透露,由于iPhone、iPad以及各种智能型手机等新产品应用的快速普及,牵动零组件设计公司的研发、营销布局,由于力晶12吋晶圆代工业务对特定产品拥有独特的成本竞争优势,国内、外相关的IC设计和IDM业者早已锁定力晶产能,并与该公司研发部门展开制程技术的开发,预计在今年下半,力晶的代工业务将有机会呈现产能供不应求的荣景。
黄崇仁并表示,目前力晶是全球唯一消费用DRAM和闪存的12吋晶圆代工公司,该公司自力开发的40奈米NAND flash现已开始运交样品给客户,1.8V低耗电闪存的研发也进展顺利,目前已有多家客户完成产品测试,准备切入利基市场。