力晶NAND Flash 40奈米成功试产 开始送样给客户

存储器 中国闪存市场 Helan 2011-01-12 08:36
内存大厂力晶与尔必达(Elpida)、瑞晶完成新产销合约,于第1季加入2Gb DDR3战局后,旗下NAND flash产品也成功以40奈米制程试产,正式开始送样给客户,力晶未来对的NAND Flash策略布局,将从利基型产品市场切入,避开与三星电子(Samsung Electronics)等大厂正面竞争。
此外,力晶表示,受惠智能型手机和平板计算机应用崛起,12吋晶圆厂的代工业务也吸引台湾和国际的IC设计公司和IDM业者来投片,有助于产品多元化布局。
力晶营运近来大洗三温暖,2010年底最后1天被瑞晶宣布停止供货,造成内存产业震撼,但时隔数日,力晶、瑞晶和尔必达3方经过谈判后,在新的产销合约上完成共识,力晶与瑞晶正式宣布回复既有供货机制,且瑞晶提供的货源从过去的1Gb DDR3升格至2Gb DDR3,力晶这次的危机处理相当迅速。
算是因祸得福,力晶在拿到瑞晶的2Gb DDR3产能,加上旗下12吋晶圆厂也转进40奈米制程,有能力开始量产2Gb DDR3芯片,力晶提前加入2Gb DDR3战局,并预计在下半年将全数产能都转进40奈米,同时在第4季导入30奈米制程。
黄崇仁表示,与尔必达和瑞晶完成新的产销协议后,力晶可持续获得瑞晶产能挹注,3方也维持既有的长期合作关系,就研发、制造资源的整合,将达到更有效率的合作模式,以便在未来合适的时机点上,藉由瑞晶既有的合资平台扩大力晶与尔必达的联盟格局。
在DRAM价格走势上,黄崇仁认为以目前市场供需结构来看,价格可望在第1季落底,之后可望在终端需求逐渐加温下,产业和公司营运都逐渐转佳。
值得注意的是,近期不断传出尔必达社长坂本幸雄在运作整合台日DRAM厂的计划,成立控股公司让尔必达、瑞晶、力晶、茂德等进行4合1,或是以瑞晶做整合平台等,虽然台系业者都是否认此传言,但由于这是当初DRAM产业整合计划中,最早期的版本方案,因此各界认为这样的计划仍值得进一步留意。
再者,力晶旗下最早技术师承日商瑞萨(Renesas)、后来接手技术自力开发的NAND Flash产品日前也正式闯关40奈米制程成功,开始送样给客户,且1.8V低耗电的NAND Flash产品也同步进行,目前已有多家客户完成测试,未来力晶的NAND Flash产品策略将锁定利基型市场切入,不会与三星、东芝(Toshiba)、英特尔(Intel)等国际大厂竞争标准型市场。
在晶圆代工方面,力晶2010年也透过合作伙伴瑞萨,取得苹果iPhone与iPad面板驱动IC订单,主要由瑞萨接单再转进力晶的12吋晶圆厂代工;在受惠iPhone、iPad和各种智能型手机等应用蓬勃发展下,力晶12吋晶圆厂的代工产能,成为台湾和国际多家IC设计和IDM业者锁定投片的对象。
力晶表示,将会与IC设计和IDM业者的研发部门合作开发制程,锁定几项特殊的产品布局,对于代工业务部分,未来会是力晶很重要的一环。

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