据报导,全球内存大厂三星电子(Samsung Electronics)表示,已成功开发出的新款内存模块DDR4,读写数据速度可较前代产品快上1倍,并拟于2012年量产。以期望藉由早一步量产次世代产品拉大与Hynix及尔必达(Elpida)之间的市占差距。
据报导,该款DDR4产品为使用8片芯片、记忆容量为2GB的内存模块,可适用于30nm等级的细微加工技术。报导指出,在搭载于PC的情况下,该款DDR4产品的读写速度可达现行30nm等级DDR3的2倍,耗电力则可减少40%。
据三星指出,当前DRAM产业的主流产品为DDR3装置,DDR3模块数据传输率每秒约达1.6GB,电压约达1.35~1.5伏特,然公司新DRAM模块DDR4,采用新虚拟开汲极(Pseudo Open Drain)接口技术,数据传输率每秒可达2.13GB,若是搭配新式芯片架构,传输效率还可高达3.2GB,电压仅为1.2伏特,笔记本电脑(NB)若搭载新产品,可降低近4成左右的能源消耗量。
三星内存业务负责人Dong Soo Jun表示,十分看好新产品节能优势,认为DDR4可望成为未来主流产品。
据公司表示,拟于2011年下半协同服务器厂商确立DDR4技术的JEDEC标准,新款DDR4模块将采用30奈米级制程,拟于2012年量产,将使得三星成为业界首家推出DDR4的厂商。