6月16日,据彭博社报道称,德克萨斯州联邦陪审团日前作出一项裁决,三星电子因侵犯韩国技术学院(Korea Advanced Institute of Science and Technology)一项专利技术,为此需向后者支付高达4亿美元的赔偿。
传三星电子(Samsung Electronics)启动采用极紫外光(EUV)微影设备的DRAM生产研发,虽然三星目标2020年前量产16纳米DRAM,不过也有可能先推出17纳米制程产品。
据悉,SFF自2016年首次举办以来,每年都会邀请客户和合作商,并在中国、韩国、美国、日本、德国等国举办,今年也是第一次在中国召开。中国客户和“晶圆代工生态系统(Foundry Ecosystem)”合作企业约300多人参加本届论坛。
三月份首次公开展示之后,三星电子宣布,已经开始全球第一个量产基于16Gb(2GB) Die颗粒的新一代64GB DDR4 RDIMM内存条,主要面向企业和云服务应用。三星表示,这条内存的标准频率为2666MHz,后续还可以轻松提升,同时功耗比两条32GB的
全球进入后智能机时代,三星寻找新成长引擎,拟定发展重心为晶圆代工、车用OLED面板、数据中心存储,藉此维持科技巨擘地位。
三星宣布推出基于10nm级(指10~18nm)的DDR4 SO-DIMM内存模组,用于高性能笔记本产品。新的内存模组容量达到32GB单条,频率2666MHz,结构上是由16个16Gb DDR4 DRAM芯片组成。
据TheInvestor网站北京时间5月28日报道,市场研究公司Chaebul.com发布的数据显示,今年第一季度,三星电子、现代汽车以及其他韩国主要上市公司的现金储备都实现了增长。
在本周二于硅谷举办的 SFF 论坛上,三星宣布了该公司的新芯片制造计划,披露了未来几代产品的发展方向。
三星周三发布新闻稿宣布,全球第一个采用极紫外光(EUV)微影设备的7 nm LPP(Low Power Plus)制程,已准备好于2018下半年投产。
韩联社报导,三星的设备解决方案部门主管芯片业务,据传近来设立了晶圆代工研发中心,强化此一方面的实力。设备解决方案部门旗下原本已有八个研发中心,包括存储器、System LSI、半导体、封装、LED、生产技术、软体、面板。
韩国京畿道龙仁市器兴区三星路1号
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