编辑：AVA 发布：2024-04-12 14:31
据外媒报道，三星电子将于本月晚些时候开始批量生产 290 层V9 NAND 芯片，有消息称三星还计划明年推出 430 层 NAND 芯片。
DRAM方面，据韩媒报道，三星公布DRAM量产蓝图：2024年底前将量产10nm第六代DRAM，最大特点是以极紫外光（EUV）技术制造，2026年左右将量产10nm级第七代产品、2027年之后将量产10nm以下DRAM产品。并预计在2025年推出以垂直通道电晶体（VCT）技术制造3DDRAM初期版本，并于2030年推出将cell堆叠起来的「堆叠式DRAM」。
| 存储原厂 |
| 三星电子 | 80200 | KRW | +3.35% |
| SK海力士 | 180200 | KRW | +4.04% |
| 美光科技 | 120.130 | USD | +4.73% |
| 英特尔 | 30.970 | USD | +0.63% |
| 西部数据 | 72.600 | USD | +2.33% |
| 南亚科 | 67.4 | TWD | +0.75% |
| 主控供应商 |
| 群联电子 | 728 | TWD | +1.11% |
| 慧荣科技 | 78.580 | USD | +6.25% |
| 美满科技 | 69.820 | USD | +1.91% |
| 点序 | 81 | TWD | +2.02% |
| 国科微 | 51.23 | CNY | -0.27% |
| 品牌/模组 |
| 江波龙 | 96.90 | CNY | +0.52% |
| 希捷科技 | 89.850 | USD | +2.69% |
| 宜鼎国际 | 292 | TWD | +1.04% |
| 创见资讯 | 100 | TWD | +3.09% |
| 威刚科技 | 115 | TWD | +5.5% |
| 世迈科技 | 18.580 | USD | -0.27% |
| 朗科科技 | 25.43 | CNY | +0.20% |
| 佰维存储 | 52.81 | CNY | +0.11% |
| 德明利 | 100.21 | CNY | -1.85% |
| 大为股份 | 11.29 | CNY | 0.00% |
| 封装厂商 |
| 华泰电子 | 61.6 | TWD | +1.15% |
| 力成 | 170 | TWD | +0.89% |
| 长电科技 | 26.68 | CNY | 0.00% |
| 日月光 | 150 | TWD | +1.35% |
| 通富微电 | 20.97 | CNY | -0.80% |
| 华天科技 | 8.29 | CNY | +0.48% |
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