编辑:AVA 发布:2024-04-12 14:31
据外媒报道,三星电子将于本月晚些时候开始批量生产 290 层V9 NAND 芯片,有消息称三星还计划明年推出 430 层 NAND 芯片。
DRAM方面,据韩媒报道,三星公布DRAM量产蓝图:2024年底前将量产10nm第六代DRAM,最大特点是以极紫外光(EUV)技术制造,2026年左右将量产10nm级第七代产品、2027年之后将量产10nm以下DRAM产品。并预计在2025年推出以垂直通道电晶体(VCT)技术制造3DDRAM初期版本,并于2030年推出将cell堆叠起来的「堆叠式DRAM」。
存储原厂 |
三星电子 | 80900 | KRW | +0.62% |
SK海力士 | 191800 | KRW | +0.95% |
美光科技 | 109.410 | USD | +1.82% |
英特尔 | 31.350 | USD | +0.80% |
西部数据 | 68.260 | USD | +2.66% |
南亚科 | 58.1 | TWD | -4.13% |
华邦电子 | 23.45 | TWD | -1.88% |
主控厂商 |
群联电子 | 532 | TWD | -4.83% |
慧荣科技 | 70.080 | USD | +2.04% |
美满科技 | 65.720 | USD | +2.70% |
点序 | 67.2 | TWD | -0.88% |
国科微 | 51.94 | CNY | +0.37% |
品牌/模组 |
江波龙 | 80.72 | CNY | +0.93% |
希捷科技 | 103.680 | USD | -0.27% |
宜鼎国际 | 282.5 | TWD | -3.25% |
创见资讯 | 95.8 | TWD | -2.84% |
威刚科技 | 92.3 | TWD | -3.25% |
世迈科技 | 23.170 | USD | +1.80% |
朗科科技 | 17.05 | CNY | -0.64% |
佰维存储 | 52.46 | CNY | -1.35% |
德明利 | 77.11 | CNY | +0.47% |
大为股份 | 9.23 | CNY | +1.32% |
封测厂商 |
华泰电子 | 49.4 | TWD | -4.82% |
力成 | 189 | TWD | +2.72% |
长电科技 | 32.20 | CNY | +0.34% |
日月光 | 155.5 | TWD | -9.86% |
通富微电 | 21.91 | CNY | +1.39% |
华天科技 | 8.26 | CNY | +0.61% |
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