编辑：AVA 发布：2024-04-12 14:31
据外媒报道，三星电子将于本月晚些时候开始批量生产 290 层V9 NAND 芯片，有消息称三星还计划明年推出 430 层 NAND 芯片。
DRAM方面，据韩媒报道，三星公布DRAM量产蓝图：2024年底前将量产10nm第六代DRAM，最大特点是以极紫外光（EUV）技术制造，2026年左右将量产10nm级第七代产品、2027年之后将量产10nm以下DRAM产品。并预计在2025年推出以垂直通道电晶体（VCT）技术制造3DDRAM初期版本，并于2030年推出将cell堆叠起来的「堆叠式DRAM」。
| 存储原厂 |
| 三星电子 | 54900 | KRW | +1.29% |
| SK海力士 | 183500 | KRW | -0.27% |
| 铠侠 | 1601 | JPY | +11.18% |
| 美光科技 | 108.600 | USD | +0.31% |
| 西部数据 | 64.640 | USD | -1.01% |
| 南亚科 | 32.20 | TWD | +4.72% |
| 华邦电子 | 15.60 | TWD | +4.70% |
| 主控厂商 |
| 群联电子 | 475.0 | TWD | -0.84% |
| 慧荣科技 | 60.150 | USD | -0.28% |
| 联芸科技 | 41.50 | CNY | +3.13% |
| 点序 | 49.00 | TWD | +1.14% |
| 国科微 | 71.65 | CNY | +6.45% |
| 品牌/模组 |
| 江波龙 | 92.00 | CNY | +4.70% |
| 希捷科技 | 94.490 | USD | -1.14% |
| 宜鼎国际 | 214.0 | TWD | +0.71% |
| 创见资讯 | 91.3 | TWD | +1.22% |
| 威刚科技 | 81.2 | TWD | +3.70% |
| 世迈科技 | 20.000 | USD | +1.99% |
| 朗科科技 | 21.31 | CNY | +5.44% |
| 佰维存储 | 62.20 | CNY | +4.82% |
| 德明利 | 89.46 | CNY | +4.45% |
| 大为股份 | 12.44 | CNY | +4.54% |
| 封测厂商 |
| 华泰电子 | 35.20 | TWD | +2.33% |
| 力成 | 120.0 | TWD | +3.90% |
| 长电科技 | 38.19 | CNY | +1.19% |
| 日月光 | 161.0 | TWD | +1.90% |
| 通富微电 | 28.80 | CNY | +1.91% |
| 华天科技 | 11.89 | CNY | +1.80% |
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