编辑：AVA 发布：2024-04-12 14:31
据外媒报道，三星电子将于本月晚些时候开始批量生产 290 层V9 NAND 芯片，有消息称三星还计划明年推出 430 层 NAND 芯片。
DRAM方面，据韩媒报道，三星公布DRAM量产蓝图：2024年底前将量产10nm第六代DRAM，最大特点是以极紫外光（EUV）技术制造，2026年左右将量产10nm级第七代产品、2027年之后将量产10nm以下DRAM产品。并预计在2025年推出以垂直通道电晶体（VCT）技术制造3DDRAM初期版本，并于2030年推出将cell堆叠起来的「堆叠式DRAM」。
| 存储原厂 |
| 三星电子 | 54500 | KRW | -3.20% |
| SK海力士 | 190200 | KRW | -4.52% |
| 铠侠 | 2482 | JPY | -7.04% |
| 美光科技 | 90.480 | USD | -3.36% |
| 西部数据 | 47.010 | USD | -3.92% |
| 闪迪 | 50.310 | USD | +7.39% |
| 南亚科 | 37.75 | TWD | -2.33% |
| 华邦电子 | 18.70 | TWD | 0.00% |
| 主控厂商 |
| 群联电子 | 552 | TWD | -1.25% |
| 慧荣科技 | 55.430 | USD | -1.19% |
| 联芸科技 | 52.33 | CNY | -8.18% |
| 点序 | 73.5 | TWD | +0.82% |
| 国科微 | 78.99 | CNY | +1.92% |
| 品牌/模组 |
| 江波龙 | 101.49 | CNY | -0.79% |
| 希捷科技 | 100.140 | USD | -1.74% |
| 宜鼎国际 | 266.0 | TWD | -0.56% |
| 创见资讯 | 87.3 | TWD | -2.35% |
| 威刚科技 | 84.6 | TWD | -1.28% |
| 世迈科技 | 18.790 | USD | -5.72% |
| 朗科科技 | 25.17 | CNY | -2.97% |
| 佰维存储 | 70.88 | CNY | -5.57% |
| 德明利 | 141.75 | CNY | -10.00% |
| 大为股份 | 17.07 | CNY | -5.17% |
| 封测厂商 |
| 华泰电子 | 35.60 | TWD | -2.60% |
| 力成 | 125.0 | TWD | -2.34% |
| 长电科技 | 37.27 | CNY | -0.05% |
| 日月光 | 165.5 | TWD | -3.22% |
| 通富微电 | 28.43 | CNY | -0.28% |
| 华天科技 | 10.98 | CNY | 0.00% |
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