编辑：AVA 发布：2024-04-12 14:31
据外媒报道，三星电子将于本月晚些时候开始批量生产 290 层V9 NAND 芯片，有消息称三星还计划明年推出 430 层 NAND 芯片。
DRAM方面，据韩媒报道，三星公布DRAM量产蓝图：2024年底前将量产10nm第六代DRAM，最大特点是以极紫外光（EUV）技术制造，2026年左右将量产10nm级第七代产品、2027年之后将量产10nm以下DRAM产品。并预计在2025年推出以垂直通道电晶体（VCT）技术制造3DDRAM初期版本，并于2030年推出将cell堆叠起来的「堆叠式DRAM」。
| 存储原厂 |
| 三星电子 | 53700 | KRW | 0.00% |
| SK海力士 | 221000 | KRW | +0.68% |
| 铠侠 | 1771 | JPY | +3.57% |
| 美光科技 | 89.010 | USD | +0.86% |
| 西部数据 | 62.800 | USD | -0.11% |
| 南亚科 | 30.10 | TWD | +0.33% |
| 华邦电子 | 14.35 | TWD | +1.41% |
| 主控厂商 |
| 群联电子 | 473.0 | TWD | +0.32% |
| 慧荣科技 | 51.260 | USD | +0.39% |
| 联芸科技 | 41.26 | CNY | -4.87% |
| 点序 | 48.60 | TWD | +6.93% |
| 国科微 | 63.45 | CNY | -3.50% |
| 品牌/模组 |
| 江波龙 | 83.11 | CNY | -2.60% |
| 希捷科技 | 99.380 | USD | -0.89% |
| 宜鼎国际 | 204.5 | TWD | -2.85% |
| 创见资讯 | 87.3 | TWD | +1.28% |
| 威刚科技 | 77.0 | TWD | +0.26% |
| 世迈科技 | 19.300 | USD | +0.89% |
| 朗科科技 | 17.61 | CNY | -3.35% |
| 佰维存储 | 59.50 | CNY | -5.68% |
| 德明利 | 104.39 | CNY | +2.15% |
| 大为股份 | 13.65 | CNY | -5.99% |
| 封测厂商 |
| 华泰电子 | 33.50 | TWD | +0.90% |
| 力成 | 117.0 | TWD | +0.43% |
| 长电科技 | 38.83 | CNY | -4.43% |
| 日月光 | 177.0 | TWD | +2.91% |
| 通富微电 | 28.30 | CNY | -1.97% |
| 华天科技 | 11.26 | CNY | -2.76% |
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