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美光科技宣布，已开始向生态系统合作伙伴和特定客户交付其 1γ（1-gamma）、第六代（10nm 级）DRAM 节点 DDR5 内存样品，该内存专为下一代CPU设计。

1γ DRAM 的这一里程碑建立在美光1α（1-alpha）和 1β（1-beta）DRAM 节点领导地位的基础上，为未来计算平台提供支持，从云端到工业和消费应用，再到边缘 AI 设备，如 AI PC、智能手机和汽车。

美光 1γ DRAM 节点将首先应用于其 16Gb DDR5 DRAM，此后将集成至美光内存产品组合，以满足行业对高性能、节能 AI 内存解决方案日益增长的需求。16Gb DDR5产品可提供高达 9200MT/s 的速度能力，与前代产品相比，速度提高了 15%，功耗降低了 20% 以上。

来源：美光

美光向 1γ DRAM 节点的过渡有助于解决以下关键挑战：  

增强性能——基于美光1γ 节点的 DRAM 提供了更高的性能，可支持从数据中心到边缘设备的各种内存产品的计算扩展，以满足未来 AI 工作负载的需求。 

节省功耗— 美光1γ 节点采用下一代高 K 金属栅极 CMOS 技术，并结合设计优化，可将功耗降低 20%以上，从而改善热性能。

更高的位元密度输出— 美光1γ 节点利用 EUV 光刻技术、设计优化和工艺创新，与上一代相比，每晶圆的位元数输出提高30%以上，并且能够有效扩展内存供应。

1γ节点将集成到美光的整个内存产品组合中：  

数据中心——基于 1γ 的数据中心 DDR5 内存解决方案，可将性能提高 15%，提高能源效率，并有助于持续扩展服务器性能，从而使数据中心能够在未来的机架级功率和热设计中进行优化。  

Edge AI — 1γ低功耗DRAM解决方案可提高节能效果并增加带宽，从而增强Edge AI解决方案的用户体验。  

AI PC — 1γ DDR5 SODIMM 可提高性能并将功耗降低 20%，延长电池寿命并改善整体笔记本电脑用户体验。 

Mobile— 1γ LPDDR5X 将在边缘实现卓越的 AI 体验，并延续美光在Mobile技术领域的领导地位。

汽车— 基于 1γ 的 LPDDR5X 内存可扩展容量、寿命和性能，同时实现高达 9600MT/s 的速度。

2025年3月12日， 美光集团副总裁Dinesh Bahal先生将莅临CFMS|MemoryS 2025峰会现场进行主题演讲，并与现场嘉宾进行深度交流，让我们共同期待！

大会报名通道现已开启，可通过峰会官网（https://cfms.chinaflashmarket.com）或“闪存市场”APP进行报名。