NAND Flash制造商一直试图通过增加每个单元存储的位数来提高其存储设备的存储密度，据外媒报导，近日铠侠表示，公司一直在试验在一个单元中存储更多比特数的NAND Flash闪存。
据报道，近日铠侠表示，已设法在每个单元中存储7 Bits (7 bpc)，尽管是在实验室和低温的条件下。 为了使存储密度更高，存储电压状态的数量将随着每个单元存储Bits的增加呈指数增长。例如，要存储4位，单元必须保持16个电压电平 (2^4)，但使用6位，该数字会增长到64(2^6)。而铠侠实现的每个单元存储7位则需要保持128个电压状态(2^7)。
铠侠在2022年国际记忆研讨会 (IMW 2022) 上展示了描述其成就的论文，铠侠使用通过外延生长构建的单晶硅通道来达成7 bpc的存储，单晶硅的电阻比多晶硅低，因此更容易记录此类单元。报告称，与传统晶体管相比，具有单晶硅单元晶体管的亚阈值斜率更陡，而泄漏电流和读取噪声更低。这种NAND Flash单元现在还无法在商业实现，为了记录和读取，铠侠的科学家们不得不在实验室中完成试验，将芯片浸入液氮(-196°C)以稳定材料，降低电压要求。
在实验室中构建定制晶体管只是超高密度NAND Flash挑战的一半。首先，研究人员必须开发和使用具有适合处理128种电压状态的自定义编码方案的专用SSD控制器，能够准确处理128个电压电平的控制器可能与微处理器一样复杂且价格昂贵。
因此，主要问题是使用昂贵且复杂的SSD控制器将3D NAND记录密度从5 bpc增加到7 bpc是否有意义。虽然 最好的SSD往往成本很高，但过于先进的控制器可能变得过于昂贵，并消除它们的所有优势。 西部数据认为， 即使在2025年之后，哪怕是5 bpc的3D NAND也几乎没有意义。但是，铠侠现在展示了7 bpc的物理可能性，甚至谈到了最终可以提升至8 bpc。
