编辑：AVA 发布：2022-06-22 11:53
据韩媒报道，知情人士表示，预计三星电子将在下周宣布采用Gate-All-Around (GAA)技术的3nm制程工艺量产。
三星表示，与现有FinFET相比，该技术可将面积减少45%，同时提供30% 的性能提升和50% 的功耗降低过程。
另外，三星表示，其2nm工艺节点处于早期开发阶段，计划于2025年实现量产。
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