10月29日，三星发布第三季度财务报告，该季度营收66.96兆韩元，环比增长26%，同比增长8%，而重要的半导体业务营收18.8兆韩元，同比增长7%，营业利润同比大涨82%，其中存储业务营收14.28兆韩元，环比下滑了2%，同比增长了8%。

尽管Q3服务器市场需求降温，以及前期NAND Flash和DRAM芯片价格下跌幅度较大，但手机和PC产品出货量高于预期，再加上LSI系统业务利润和代工业务订单增加，抵消了部分不利的影响，使得三星第三季度营收实现了有史以来最高的历史记录，半导体营业利润也同比大涨，但预计第四季度恐将面临利润下滑的挑战。

来源：三星财报，中国闪存市场ChinaFlashMarket整理

1、手机、PC需求带动，消费类价格止跌反弹，三星Q3 DRAM Bit量增长高于预期

虽然服务器市场需求疲软，但消费类市场旺季需求带动，以及价格在9月止跌反弹，让三星第三季度DRAM bit量增长高于预期，DRAM业务营收达到8.55兆韩元，DRAM Bit量环比增长5%。

来源：三星财报，中国闪存市场ChinaFlashMarket整理

对于DRAM业务，由于强劲的旺季需求带动，5G手机以及中、低端智能手机销量增加，另外笔记本电脑的强劲销售也推动了PC需求的增长，再加上华为加大库存采购效应的推动，消费类市场DRAM价格终于在9月份止跌反弹，部分内存产品价格涨幅高达10%，甚至到10月上旬，部分内存产品供应持续紧缺，价格依然较为坚挺。

展望四季度DRAM，新智能手机的推出，移动市场需求预计仍将增加，但服务器库存持续调整，需求预计将保持疲软之势。对于PC，中低端笔记本电脑的需求可能会保持稳定，同时，新GPU和游戏机的推出也推动了市场需求的增长。

2、三星Q3整体NAND Bit出货量增长，但需求持续疲软，Q4 服务器SSD价格恐将下滑

三星第三季度NAND Flash业务营收达5.73兆韩元，NAND bit增长量环比增长17%，ASP下滑了10%。

来源：三星财报，中国闪存市场ChinaFlashMarket整理

主要是因为，手机品牌商不断的推出新机型，再加上华为的订单增加，推动移动市场需求强劲。SSD方面，主要的企业客户库存持续调整，导致服务器市场需求下降，但客户端SSD在中低端笔记本电脑市场需求强劲，而新游戏机也在推动大容量的SSD大幅增长，推动整体NAND Bit出货量增长。

展望四季度NAND，中国市场用户的消费水平明显改善，再加上中国手机品牌商需求，预计移动市场需求将持续增加。SSD市场，由于中低端笔记本电脑的需求将保持稳定，因此对客户端SSD的需求预计将持续强劲，而服务器市场，由于客户继续调整库存并保守地管理其资本支出，需求可能会持续疲软并且SSD价格会将下降。 

3、三星Q3库存创高+服务器需求疲软持续，预计Q4利润将下滑

2020上半年“疫情”冲击全球产业链和制造链，下半年国际贸易争端升温，加剧了货源和供货的不确定性，因此大部分半导体企业，也包括存储原厂在内，都提高了原材料、零组件等库存，以确保一定的安全库存水位，保证生产和销售无虞。

据三星财报显示，相较于前几年稳定的库存波动，2020年三星库存价值数额从第一季度开始，一直呈现上升趋势，到第三季度，库存价值已达到了32.4兆韩元，环比增长了9.4%，更创下历史季度新高。

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然而，展望第四季度，三星认为尽管移动和笔记本电脑对存储的需求稳定，但由于IT企业客户库存调整而导致服务器存储价格疲软，可能会拖累存储业务，加之手机和消费电子产品的竞争加剧，预计第四季度利润将下降。

为了提高市场竞争力，三星将加速向1Znm DRAM和第六代V-NAND技术转换，并开发下一代产品，比如基于EUV的1anm DRAM和第七代V-NAND。三星也将在第四季度开始专注于扩展移动SoC业务，将提供首款采用5纳米工艺技术的5G 1-Chip SoC，并将在2021年扩大出货量。

4、三星2020资本支出较2019年增长超30%，产能大增应对2021年需求复苏

2020年半导体产业充满挑战，但对于2021年产业前景三星还是非常看好，尽管可能将长期受到国际贸易争端以及疫情的影响，但随着5G手机继续扩展到低端和中端机型，移动市场需求预计将持续稳健增长。服务器市场，随着库存水平正常化以及企业客户的投资信心恢复，2021上半年需求将有可能出现好转。

三星新工厂投产情况和规划

来源：公开信息，中国闪存市场ChinaFlashMarket整理

正因为看好2021年需求复苏，三星在2020年不断加码投资，3月三星西安二期1阶段投产第五代9X层3D V-NAND芯片，8月已实现满产，二期第二阶段项目投资80亿美元，2021年下半年竣工，预计将用于投产128层或更高堆叠层数的3D NAND芯片。同时，三星也在扩大平泽工厂的生产能力，新建成的P2工厂已导入极紫外（EUV）技术批量生产16 Gb LPDDR5，以及投资8兆韩元新建NAND Flash产线，计划2021下半年开始量产。

此外，三星也在扩大晶圆代工的生产能力，三星韩国华城建设的首个EUV专用生产线在2020下半年投产5nm工艺，同时在2020年Q2的韩国平泽投资新建EUV产线，预计将于2021年下半年全面投产5nm及以下工艺技术，甚至正在计划新建P3工厂。

来源：三星财报，中国闪存市场ChinaFlashMarket整理

三星预计2020全年资本支出约为35.2兆韩元，其中28.9兆韩元用于半导体，4.3兆韩元用于显示面板。相较于2019年，三星2020年整体资本支出额大幅增长了31%，而大部分资金都用于半导体投资。在三星不断投资的推动下，未来2年内三星DRAM、NAND Flash以及晶圆代工产能将明显大增，因应2021年需求的复苏。