日前，在三星发布完2020年Q3业绩展望之后，掌门人李在镕随即离开韩国前往荷兰Veldhoven城——半导体设备公司ASML总部所在地。

三星官网报道，李在镕在ASML总部访问期间，参观了ASML的半导体制造设备生产厂，了解了EUV设备的生产状况，并会见了ASML CEO Peter Wennink和CTO Martin van den Brink，共同谈论了下一代半导体制造技术，并重点讨论了EUV工艺所需的光刻设备供应计划以及未来双方加强合作方式。

ASML：曾被三星不看好，如今翻身成长为能扼住三星“咽喉”的企业

20世纪80年代时，当飞利浦实验室成功研发出自动化步进式光刻机（Stepper）时，便向当时几大光刻机厂商以及IBM在内的数家科技公司“兜售”这一研究成果，然而却接连遭遇“闭门羹”，因为此时连飞利浦都不确定这项技术是否具有商业价值。

直到荷兰一家代理出身的小公司得知此事后，主动要求合作，飞利浦犹豫再三才最终同意成立了五五持股的合资公司ASML，成立初期公司只有31名员工。

1986年半导体市场大滑坡时，美国一众光刻机厂商都遭遇严重财务问题，纷纷出售或倒闭，ASML却因当时体量较小而幸存下来。80年代末，光刻机市场已经被尼康和佳能这对日本双雄所霸占，ASML此时的市场份额仅10%。

ASML真正的“翻身仗”是在2003年与台积电合作实现低成本浸入式光刻机量产，成功突破157nm大关，到2009年市场占有率达7成，远超尼康。

而ASML开始EUV光刻机的研究始于1997年加入英特尔发起的EUV LLC联盟，据传，但是ASML得以参加是基于ASML做了一堆对美国持续贡献的允诺并签订协议的前提下才被允许的。

数据来源：ASML财报，中国闪存市场ChinaFlashMarket整理

EUV研发投入巨大，每年大约需要10亿欧元研发资金，且风险巨大，因此ASML在2012年提出客户投资计划，拿出25%的股份请主要客户做联合投资。其中，英特尔率先认购了15%，有消息称，其中的10%是对18寸晶圆光刻机的投资，只有5%是对EUV的投资；台积电认购了5%，有媒体报道，目前两家公司均已经卖光了ASML股份。三星最晚认购，犹豫再三也仅认购了3%，并在2016年时减持了一半。

如今的结果已经显而易见，2019 ASML全年营收达118亿欧元，净利润26亿欧元，净利润率高达22%。从EUV、ArFi、ArF机型的出货来看，2019全年共出货154台。其中ASML出货130台，占有84%的市场。

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尤其是在逻辑芯片进入7nm/7nm+，甚至5nm工艺节点后，EUV更是核心设备，ASML作为全球独家供应商更是赚的“盆满钵满”，数据显示，2019年EUV技术占其总营收的31%，未来随着EUV设备的普及，相信该比例会逐渐变大。

数据来源：ASML，中国闪存市场ChinaFlashMarket整理

三星和台积电的EUV光刻机竞争加剧，三星掌舵人亲自登门争取资源

作为目前全球唯二实现EUV技术量产的厂商，三星和台积电的较量不曾停止。业内人士称，台积电凭借其先进的制程工艺手握苹果、高通、AMD、英伟达、联发科等大厂订单，每年都在增加EUV机台的购买量。有媒体报道称，台积电计划2021年向ASML再购买50台EUV设备，这个规模几乎相当于ASML 2021年全年产能。

业内人士分析，此消息恐引得三星神经紧绷，因为，三星于去年确立了到2030年夺得全球晶圆代工龙头宝座的愿景，并掷出60万亿韩元的投资计划，用于尖端生产基础设施建设，而EUV光刻机是其中重要的一环，尤其对5nm及以下工艺节点的制造更是不可或缺。

据韩媒报道，这是李在镕第一次访问ASML总部，三星公开信息表示，此次李在镕访问共同讨论了未来双方加强合作的方式，业内人士分析称，李在镕此行必将促进双方合作关系，也将使得ASML在战略上更加重视韩国市场发展。

ASML 2019财报显示，2019年ASML接近50%的销售额来自台湾地区，韩国仅占19%，体现了其业务对台湾地区的严重依赖，因此，预计通过此次会面三星和ASML加强合作后，未来ASML在韩国地区的销售占比将得到提升。

数据来源：ASML财报，中国闪存市场ChinaFlashMarket整理

EUV为何如此重要？除了引领下一代逻辑芯片发展之外，也关系下一代存储技术发展

在集成电路制造过程中，光刻工艺是整个集成电路产业制造工艺先进程度的重要指标，而光刻机则是集成电路制造中最精密复杂、难度最高、价格最昂贵的设备，用于在芯片制造过程中的掩膜图形到硅衬底图形之间的转移。

EUV作为下一代光刻技术的代表，不需要多重曝光，一次就能曝出想要的精细图形，没有超纯水和晶圆接触，在产品生产周期、OPC的复杂程度、工艺控制、良率等方面的优势明显，尤其对7nm及以下的工艺节点十分重要。

除了逻辑芯片制造以外，EUV光刻机也开始进入到存储器件的生产中，其中，三星态度最为积极。今年3月，三星率先宣布已经成功出货100万个业界首款基于极紫外光（EUV）技术的10nm级（D1x）DDR4模块；8月三星再次宣布位于韩国平泽市的第二条生产线（P2工厂）已开始导入极紫外（EUV）技术批量生产第三代1Znm工艺16Gb LPDDR5，满足智能手机中5G和AI功能的应用。

SK海力士早已在内部成立了研究小组，专门针对DRAM技术的EUV光刻展开相关研究，并着手研发1anm DRAM技术，内部的代号为“南极星”，工艺节点将在15nm左右，预计将会在该制程中引入EUV光刻技术。SK海力士新建的利川“ M16”工厂，计划将在2021年初导入EUV设备并投产，或用于扩大新一代DDR5产量，以及导入EUV工艺，量产1anm DRAM。

随着集成电路尺寸微缩，目前为止，在二维平面上使得摩尔定律得以延续，且能实现量产的方式就只有EUV光刻技术，ASML作为该设备的独家供应商自然是各大半导体厂商“拉拢”的对象。而EUV设备在存储芯片领域的发展，也意味着内存芯片有望在未来数年内突破10nm工艺节点，然而，更加长远来看，相信在未来，人类一定可以突破光学光刻机的极限，无论用电子、离子还是最终放弃硅基，让我们拭目以待！