西部数据宣布已经与合作伙伴铠侠成功研发出第五代3D NAND技术BiCS5，采用112层堆叠，巩固其在业内的领先地位。BiCS5架构主要基于TLC和QLC技术，使产品在成本更优化的前提下，拥有更出色的容量，性能和可靠性。

BiCS5单颗Die容量可达1.33Tb，将在2020年下半年大规模生产

西部数据称，目前已经开始初步生产容量为512Gb的BiCS5 TLC产品，且基于该新技术的消费类产品已经开始发售。预计到2020年下半年，BiCS5技术产品将大规模生产，届时将会推出一系列基于TLC、QLC技术的不同容量产品，其中单颗Die容量可达1.33Tb。

西部数据存储技术和制造高级副总裁Steve Paak博士表示，“我们已经进入到下一个十年发展，一种新的3D NAND缩放方法对于继续满足不断增长的数据量和数据速率的需求至关重要。BiCS5技术的成功量产体现了我们在闪存技术上的领先地位和我们对roadmap的强大执行力。通过不断投入技术研发，在横向增加存储密度的同时也增加存储层数，产品的可靠性和成本不断优化的同时，3D NAND容量和性能也大大提高。”

图片来源：西部数据

西部数据表示，BiCS5技术将在位于日本四日市和岩手县北上市的与铠侠的合资Fab工厂生产。BiCS5技术将全面用于以数据为中心的个人电子产品，智能手机，IoT设备和数据中心等西部数据全套存储产品系列。

存储技术迭代不休止，满足不断增长的存储需求

在竞争激烈的存储市场中，技术进步是推动企业发展的根本动力。BiCS5是西部数据目前密度最高的3D NAND技术，显著提高了存储晶圆的单元阵列密度，这些“横向”密度扩展与112层垂直存储堆叠相结合，使BiCS5与西部数据的96层BiCS4技术相比，每个晶圆的存储容量提高了40％以上，I/O性能提升了50%，同时成本也得到了优化。

三星于2019年8月宣布推出100+层单栈的第六代V-NAND。第六代V-NAND利用独特的“通道孔蚀刻”技术，在之前的9x层堆叠结构上增加了大约40%，然后从上到下垂直穿透圆柱形孔，创建统一的三维电荷捕捉型存储单元来实现的。 

三星V-NAND批量生产时间表

无论是三星的V-NAND技术还是西部数据与铠侠的BICS技术均是基于电荷捕捉型存储技术，此外，SK海力士也是电荷捕捉型存储技术的践行者，其最新发布的128层4D闪存也将于2020年实现在5G手机、PC、企业级市场的商用。

除电荷捕捉型存储技术之外，存储市场量产的主流存储技术还有浮动栅极存储结构，代表厂商为美光和英特尔，它与常规MOSFE最主要的区别在于栅极和沟道之间具有额外的电绝缘浮栅。该结构非易失性存储原理为在去除电压后，到达电隔离的浮栅层将被捕获。

图片来源：中国闪存市场

然而，2018年7月，美光和英特尔由于在3D NAND上技术路线的不同，宣布分手，其原因就在于美光决定放弃浮动栅极结构转向电荷捕捉型结构。

随着长江存储64层3D NAND实现量产，进展顺利，成为目前国内唯一量产成功并导入客户群的存储原厂。Xtacking技术也获得合作伙伴的一致好评。Xtacking是业界推出的全新闪存架构，将逻辑控制单元和存储单元分别进行研发和制造，最后到晶圆生产的时候叠加到一起。

随着3D技术堆叠层数的增加，以及QLC开始慢慢商用，3D NAND单颗Die容量正在向1Tb普及化量产，可以预见每GB成本的快速下降，对闪存产品的普及，尤其在数据中心、企业级市场的扩展将有重大意义。