传美光砸千亿日元扩增日本DRAM产能

厂商动态 中国闪存市场 Helan 2015-10-12 10:17

日前传出全球DRAM龙头厂三星电子恐会在明(2016)年、后年带头砍产能,且减产幅度更将居业界之冠,不过全球第3大DRAM厂美光秉持着「逆势时更应该积极投资」的态度,传出将豪砸千亿日圆在日本量产采用全球最先端技术的DRAM、扩增产能。

日经新闻12日报导,美光计划于今后1年内对日本广岛工厂豪砸1,000亿日圆资金,导入最新生产设备,量产全球最先端、采用16nm制程技术的DRAM产品,且目标为在2016年上半年确立16nm DRAM的量产技术。

报导指出,目前半导体市况虽疲弱,不过美光期望藉由在逆势时持续进行积极投资,对抗全球龙头厂三星;美光也于上年度(截至2015年8月底为止的会计年度)对广岛工厂砸下1,000亿日圆资金进行增产,故此将为美光连续第2年对广岛工厂进行巨额投资。

据报导,和现行20nm制程相比,采用16nm制程的每片晶圆可取得的存储器数量将增加,预估产能将可提高2-3成,而待上述广岛工厂确立16nm DRAM量产技术之后,美光预估也会对位于日本、美国、台湾等地的工厂中的其中一座进行追加增产投资;南韩三星电子目前也量产采用20nm制程技术的DRAM产品,且也正为量产次世代DRAM产品做准备。

据报导,美光最高营运负责人(CEO)Mark Duncan接受日经新闻专访时表示,市况严峻的时候,才更应该积极投资确立先进技术;他说,移动设备需求持续走扬,加上每台智能手机搭载的存储器容量变大,故存储器市场的未来完全不用悲观。

据报导,美光今年度(截至2016年8月为止的会计年度)用于设备投资、研发的费用将年增4成至58亿美元,且投资对象主要为DARM和NAND Flash等两大存储器事业。

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