美光推出第三代低延迟记忆体RLDRAM

厂商动态 中国闪存市场 Helan 2010-07-14 17:38
美光科技(Micron Technology, Inc.) 宣布推出第三代低延迟DRAM (RLDRAMR 3记忆体),一种高频宽记忆体技术,能更有效的传输网路资讯。影像内容、行动应用和云端计算的蓬勃发展,产生了对更高效网路基础设施的需求,以能线上传输大量资料。与前几代产品相比,RLDRAM 3记忆体进一步提高了储存容量和速度,同时将延迟减至最低,降低了功耗,在网路应用中效能更好。
美光的DRAM行销副总裁Robert Feurle表示,随着网路内容消费的不断增长,人们日益需要有一种能支援网路流量增长的技术,美光的RLDRAM 3记忆体满足了这种需求。
对于现有的RLDRAM 2,美光将继续提供最高水准的技术支援,并计画长期生产该产品。此外,美光正将其RLDRAM 2产品组合转入更先进的50nm制程,提高系统效能,降低功耗。
另一方面,美光持续与庞大的合作伙伴网路维持紧密联系,目前合作的FPGA可程式逻辑IC公司包括Altera 和Xilinx,RLDRAM 3记忆体可整合到其产品系列中。
美光表示,预计将在2011年上半年开始对其RLDRAM 3进行抽样,目前正与客户合作,征求其对RLDRAM 3记忆体设计的意见。此外,美光预计将在2010年第四季度开始对其50nm RLDRAM 2产品进行抽样。

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按照往年,双11购物节本是传统3C冲刺销量的重要窗口期。然而作为渠道PC整机/DIY组装重要配件之一的SSD,自去年四季度起的近半年时间里跟随资源涨价而大幅提价,尽管Q2因受淡季需求拖累价格转跌,但前期累计的涨幅过高,当前价位仍与去年涨价前的价格水平存在明显差距。即便借助双11购物节平台补贴叠加其他优惠,对于消费者而言是高价促销,除非刚需、实难激起多数用户购买欲。同时,今年Q3中下旬,个别渠道存储厂商为缓解业绩压力而率先杀价抢单,但仅为个例未拖累整体市场。不过国庆长假过后,部分小型厂商相继加入杀价行列,国内市场卖压逐渐增强,近期更多存储厂商被动跟进低价以推动出货,同时,资源价格也有所松动,多因素影响下本周渠道SSD价格全面出现较大幅度下调。Q4作为存储厂商完成全年度业绩目标的最后节点,面对疲弱的市场需求以及同业竞争压力,Q4出货也将越发艰难、利润挤压也将逐渐显性化。

SSD(渠道市场):Channel SSD 120GB SATA 跌 11.76% 至 $15.00,Channel SSD 240GB SATA 跌 11.11% 至 $32.00,Channel SSD 480GB SATA 跌 7.69% 至 $60.00,Channel SSD 256GB PCIe 3.0 跌 13.16% 至 $33.00,Channel SSD 512GB PCIe 3.0 跌 6.67% 至 $70.00,Channel SSD 1TB PCIe 3.0 跌 5.17% 至 $110.00,Channel SSD 512GB PCIe 4.0 跌 5.00% 至 $76.00,Channel SSD 1TB PCIe 4.0 跌 7.69% 至 $120.00,Channel SSD 2TB PCIe 4.0 跌 4.00% 至 $240.00。