本周（417-421），价格仍然呈疲软走势。NAND flash价格波动幅度较小，波动幅度在1~3%左右。闪存卡本周价格虽然有回稳现象，但整体价格仍然呈下跌趋势，跌涨幅度在1~8%左右，虽然近期市场需求欠佳，但三星电子仍然看好后市，认为市场需求强劲，宣布2010年将投资26兆韩圆。
根据报价数据显示，本周NAND flash价格呈小幅下跌趋势，下跌幅度较弱，主要表现在4~32Gb产品上，Samsung 16G MLC (GAG)产品又本周高点3.98下跌至本周低点3.89下跌幅度2.3%。Samsung 32G MLC (LBG)本周出现小幅回档现象，跌幅较低，下跌1.4。其他产品价格跌幅也相对较弱。市场需求也一般，买气低迷，成交量有限。对于闪存卡方面，主流产品价格仍然呈疲软走势，以128MB容量下跌幅度较大，由12.40下跌只低点11.50，下跌幅度最大，下跌7.8%，2GB产品价格跌幅相对较小，跌幅在1.5%左右。市场需求也未见好转，市场表现清淡，成交量也较少。
由于市场需求表现一般，价格呈疲软走势，苹果对与订单方面，不会把所有的产品及订单，交由唯一的代工业者进行生产，一方面防止出现状况，导致货源不足问题出现；另一方面，透过多家代工业者间的竞争，也容易让自己拿到最有利的价格。不仅是苹果(Apple)，事实上所有的IT品牌业者都会做同样的考量。
此外，本周值得注意的是，虽然近期市场表现清淡，需求欠佳，但是三星电子仍然对后市需求非常看好，本周(17)日表示，2010年将投资26兆韩圆，其中18兆韩圆(159.3亿美元)的设备资本支出当中，11兆韩圆将投资在半导体，5兆韩圆将投资在液晶面板上面，其他则将应用于手机与电视事业。此外，还有8兆韩圆则将投入研发工作。
为了提升市占率，增加竞争力，据报导，Hynix也计划在截至2012年为止的期间内投入9兆韩圆(79.4亿美元)，并将2012年营收由今(2010)年的10兆韩圆目标提升20%至12兆韩圆，而全球DRAM市占率可望提高至25%，NAND Flash的市占率则可望达到20%。
华亚科对于2010年产能，则再次强调没有扩产计划；美光和英特尔(Intel)位于新加坡生产NAND Flash的新厂房已决定重新启动；东芝(Toshiba)也有扩产的动作。未来NAND Flash也同样会是记忆体产业的主战场。
此次三星资本支出公布之后，撼动DRAM股投资人信心，日台湾的DRAM股、面板股引爆杀盘，其中DRAM股力晶盘中弱势跌停，南科破底，茂德（5387）、华亚科则是逼近本波低点，而且连二日出现重挫，类股走势疲弱，此外，封测厂力成也受到波及。
由于台DRAM厂受金融风暴影响，对于扩充产能是有心而力不足，然三星此时大手笔扩产，一方面三星电子看好未来需求强劲，而且也看好未来3年将会是PC换机潮高峰期。另一方面，将影响台厂2010年所宣布一连串募资计划，募资不顺，美、日阵营势力将削弱，从而进一步强化全球市占率，把美、日阵营甩得更远。
对于三星扩产，业者看法乐观。三星扩产与美光的DRAM和NAND Flash产品关连性最高。美光表示，2010年会专注于制程技术演进和研发投资上，三星一定是看到未来消费端市场的强劲复苏力道，才会做此决定，不认为此举会逆转DRAM产业的供需结构。此外，华亚科执行副总勒松言也持乐观看法，并表示三星如此大增资本支出，背后有其需求，虽然外界忧心未来1年至2年将会再次面临供需反转，缩短这一波景气循环时间，然产业有自己的景气波动，单一公司并不会造成供需失调。
