编辑: 发布:2009-02-20 13:42
4Q08 在金融风暴的影响下,使得传统旺季需求出现远不如预期的情况,迫使 NAND Flash供货商在业绩及库存的双重压力下,而采取了持续降价的策略来去化库存及刺激买气,因此4Q08 NAND Flash ASP约比3Q08下跌32% QoQ,由于终端产品出货量不如预期,因此4Q08 NAND Flash位元的出货量仅比3Q08成长约18% QoQ,约只有往年旺季成长幅度的一半,整体NAND Flash品牌厂商的4Q08营收,因此也比3Q08下跌19.3% QoQ成为US$2.227bn。
我们从此次的营收排行可以看出,随着Hynix在4Q08已关闭2座200mm NAND Flash厂房后,4Q08 IM Flash阵营营收已超越Hynix/Numonyx阵营成为第3大阵营,Toshiba由于2008年的产出成长幅度最大,因此营收排行在2008年也成长最多,三星2008年则是维持龙头地位及市占率,由于NAND Flash厂商目前都宣示 2009 年将持续淘汰部份200mm NAND Flash厂的设备,及暂缓300mm厂房的扩充进度来降低市场位供给的速度,以因应2009年市场需求成长的减缓及缩小供过于求的缺口,因此我们预期2009 年NAND Flash厂商市场份额生态将与2008年相似。此外,随着3X nm以下的制程难度及研发成本日益增加,再加上NAND Flash产业价格波动性剧烈,预期未来各阵营间的竞合模式将会更加明显。
存储原厂 |
三星电子 | 54400 | KRW | +1.68% |
SK海力士 | 168500 | KRW | -0.65% |
铠侠 | 1664 | JPY | +7.08% |
美光科技 | 89.280 | USD | -0.49% |
西部数据 | 61.700 | USD | +0.23% |
南亚科 | 31.20 | TWD | -2.19% |
华邦电子 | 15.60 | TWD | 0.00% |
主控厂商 |
群联电子 | 492.0 | TWD | +0.92% |
慧荣科技 | 56.485 | USD | +0.74% |
联芸科技 | 44.92 | CNY | -4.20% |
点序 | 46.30 | TWD | +0.65% |
国科微 | 70.25 | CNY | -2.88% |
品牌/模组 |
江波龙 | 92.78 | CNY | -3.85% |
希捷科技 | 88.490 | USD | -0.05% |
宜鼎国际 | 219.5 | TWD | +0.69% |
创见资讯 | 87.7 | TWD | -0.79% |
威刚科技 | 79.7 | TWD | +0.13% |
世迈科技 | 19.470 | USD | +0.21% |
朗科科技 | 22.84 | CNY | +1.42% |
佰维存储 | 68.01 | CNY | -2.45% |
德明利 | 89.30 | CNY | -1.54% |
大为股份 | 11.85 | CNY | -4.51% |
封测厂商 |
华泰电子 | 36.30 | TWD | +0.83% |
力成 | 126.5 | TWD | +1.20% |
长电科技 | 38.93 | CNY | -0.79% |
日月光 | 165.5 | TWD | +0.61% |
通富微电 | 29.43 | CNY | -1.47% |
华天科技 | 12.16 | CNY | +0.58% |
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