Samsung
与 970 EVO Plus 相比，990 EVO 的性能提升高达 43%。顺序读取速度高达 5,000 MB/s，写入速度高达4,200 MB/秒。随机读取和写入速度也分别提升至每秒 700K IOPS和 800K IOPS。
三星电子针对生成式AI时代优化的DRAM解决方案主要包括：12nm级32 Gb DDR5 DRAM、HBM3E DRAM‘Shinebolt’、CXL内存模块产品‘CMM-D’。
累计2023年全年营业利润为 6.54万亿韩元（约合50亿美元），同比下降 84.9%；全年营收下降14.6%至258.16万亿韩元。
三星宣布，与开源软件提供商红帽（Red Hat）携手，首次成功在真实用户环境中验证了Compute Express Link™(CXL™)内存技术的运行，这将进一步扩大三星的 CXL生态系统。
三星ISOCELL Vizion 63D和ISOCELL Vizion 931传感器目前正在向全球OEM厂商提供样品。
全永铉（音译）曾领导三星电子存储半导体和电池业务，基于其丰富的管理知识和对未来产业发展的关注，将引领未来业务的发展和探索。
三星电子在近日举办的存储技术日上展示了包括HBM3E、LPDDR5X以及可拆卸AutoSSD等创新产品。
三星电子目前正在开发基于鳍式场效应晶体管（FinFET）结构的14nm eMRAM，目标是在2024年推出。三星计划到2026年将其eMRAM产品组合升级为8nm产品，到2027年将其eMRAM产品组合升级为5nm产品。
三星电子今天公布了 2023 年第三季度的盈利预期，预计合并销售额约67万亿韩元，综合营业利润约2.4万亿韩元。
基于LPDDR的LPCAMM将引领计算机的下一代内存模组市场，并有望应用于数据中心。与 So-DIMM相比，LPCAMM性能提高50%，能效提高70%，面积缩小60%，预计将于2024年实现商业化。
韩国京畿道龙仁市器兴区三星路1号
Samsung 第九代V-NAND 2024-08-27
Samsung 第八代V-NAND 2022-11-07
Samsung 3D TLC ADGU0F 2018-05-10
Samsung 3D TLC ADGU0D 2018-05-10
Samsung 3D TLC AFGH0A 2018-03-14
三星HBM3E 2024-03-20
三星HBM3 2023-10-17
三星 DDR5 DRAM 2021-10-12
三星 DDR4 DRAM 2011-01-17
三星PM9C1a系列SSD 2023-01-12
三星SSD 990 PRO 2022-08-25
三星SSD 990 PRO 2022-08-25
三星PM1743系列SSD 2021-12-23
三星ZNS SSDPM1731a 2021-06-02
三星LPDDR5X DRAM 2024-03-22
Samsung UFS 4.0 2022-05-25
三星eUFS3.1 2020-03-17
三星eUFS 3.0 2019-02-27
三星eUFS 2.1 2019-01-30
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三星EVO Plus MicroSD卡 2018-08-23
三星EVO升级版MicroSD卡 2018-05-16
三星PRO microSD卡 2018-04-25
Samsung Micro SD EVO+系列 2016-05-09
Samsung SD EVO+系列 2015-06-09
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