韩媒:三星将于下半年推出基于176层闪存芯片的SSD,并已研发出超200层堆叠3D NAND芯片
编辑:AVA 发布:2021-06-08 16:50据韩媒报道,近日业内人士表示,三星电子正在积极推动第七代V-NAND闪存芯片(176层)的应用,并计划在今年下半年推出一款基于第七代V-NAND闪存芯片的消费类SSD。另外,三星还计划将该款芯片扩展至数据中心SSD产品当中。
据悉,三星正在着眼于加强其在存储领域的实力。业内人士表示,第七代V-NAND闪存芯片拥有业界迄今为止最小的单元尺寸。三星也是全球唯一一家掌握单堆栈蚀刻技术的企业,能够一次堆叠100+层。
此外,报道称,三星目前已经研发出超过200层堆叠的3D NAND芯片,将在进行市场分析和消费者调研之后再推出该产品。