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尽管日本严格管制半导体材料多少都会影响Samsung的芯片、面板的研发和生产，但是上周Samsung依然在日本举行了“Samsung晶圆代工论坛”SFF会议，公布了旗下新一代工艺的进展，其中3nm的工艺明年就完成开发了。

Samsung在10nm，7nm及5nm的节点的进度都会比台积电要晚一些，导致台积电几乎包揽了目前的7nm的芯片订单，Samsung只抢到IBM，NVIDIA及高通部分订单。不过Samsung已经把目标放在了未来的3nm工艺上，预计2021年量产。

在3nm节点，Samsung将从的FinFET晶体管转向GAA晶体管工艺，其中3nm工艺使用的是第一代GAA晶体管，官方称之为3GAE工艺。

根据官方所说，基于全新的GAA晶体管结构，Samsung通过使用纳米片设备制造出了MBCFET，该技术可以显著增强晶体管性能，主要取代FinFET晶体管技术。

此外，MBCFET技术还能兼容现有的鳍式场效应晶体管制造工艺的技术及设备，从而加速工艺开发及生产。

在这次的日本SFF会议上，Samsung还公布了3nm的工艺的具体指标，与现在的7nm的工艺相比，3nm的工艺可将核心面积减少45％，功耗降低50％，性能提升35％。

在工艺进度上，Samsung今年4月份已经在韩国华城的S3 Line工厂生产7nm芯片，今年内完成4nm工艺开发，2020年完成3nm工艺开发。