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全球内存龙头厂三星电子宣布，成功研发30奈米制程4Gb LPDDR3(Low Power Double Date Rate 3)，技术制程大幅领先同业1-2个世代。另外，三星看好行动通讯应用前景，除持续抢占Mobile DRAM市场之外，也开发出20奈米64Gb NAND Flash平台的高性能嵌入式内存(eMMC：embedded Multi Media Card)。

三星电子在抢占行动终端市场将有进一步的突破！这次于第八届三星行动解决方案年度论坛会场中展出2项先进技术，均应用于智能型手机、平板计算机等行动装置上面，持续拉大与竞争对手的差距。

三星电子储存事业策略营销部副社长洪完勋表示，继去年12月于业界首次发表30奈米4Gb LPDDR2产品之后，现在又成功开发采用30奈米技术4Gb LPDDR3新一代产品，计划将从第四季开始，为行动终端产品客户提供样品进行认证，并将于明年开始出货。

洪完勋指出，4Gb LPDDR3的启动速度比米4Gb LPDDR2快1.5倍，数据传输量最高能够提高到12.8GB/秒，随着数据传输速度加快，高性能行动终端产品的最高储存容量也从2段积层4Gb LPDDR2的1GB(等于8Gb)扩大至4段积层4Gb LPDDR3的2GB(16Gb)，预期未来，市场上大容量内存产品比重将会快速增加。

除了Mobile DRAM的最新产品之外，三星电子也推出采用20奈米技术64GB嵌入式内存(eMMC)。三星电子储存事业策略营销部常务金明镐表示，此款产品也是针对行动终端市场所研发。该产品为目前业界当中最快速度的内存储存卡，不论是读取与写入速度都较原有产品快3倍，且厚度仅为1.4mm、重量0.6g，能够储存1万6千首MP3歌曲。

金明镐表示，自2010年1月开始，三星电子在业界首次量产30奈米级64GB eMMC，在开拓高容量嵌入式内存市场之后，又于去年下半年量产20奈米64GB eMMC，并计划于今年内，将高性能20奈米64GB eMMC生产率提高至60%，强化高阶产品结构。

三星电子规画于2012年使用JEDEC eMMC4.5标准，量产比20奈米64GB eMMC产品性能提高2倍大内存容量产品，创造超高阶内存储存市场，扩展NAND Flash市场范围。