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三星电子(Samsung Electronics)打造号称全球最大的存储器晶圆厂，并开始量产20纳米世代的DDR 3 DRAM存储器，华尔街日报(WSJ)称此举将不利于台厂。

三星Line-16存储器晶圆厂耗资约102亿美元，22日起正式运行，初期会生产20纳米世代制程的DRAM存储器芯片，2012年则会转入10纳米世代的制程。

三星在新闻稿中表示，Line-16是产业最新也是全球最大的存储器晶圆厂，位于韩国京畿道华城市，厂房楼高12层，总面积约19.8万平方公尺，目前产能预计每月产出1万片12寸晶圆。

华尔街日报的报导指出，以目前台湾或日本较小的对手厂商都因市况不佳而减产的情况下，三星此时扩大产能的动作凸显其市场优势。三星董事长李健熙表示，全球半导体产业受到景气循环的剧烈影响，因此必须强化自身技术能力与专业，以便在竞争激烈的半导体产业维持领先地位。

根据研究机构IHS iSuppli的资料，三星在第2季占了全球DRAM Flash市场的41.6%，同期NAND Flash占有率则为41.6%，比东芝(Toshiba)的28.7%还高。

芯片业者要缩小芯片制程技术是因为可以降低成本，芯片上的晶体管元件与彼此之间的距离是用纳米来计算，体积愈小、排列越密集，芯片就越强大。

华尔街日报引用韩国Kiwoom证券分析师Lee Jae-Yun的说法指出，三星的最新技术将拉大与台湾对手之间的距离，甚至迫使其在2012年初退出市场。NAND Flash需求相当健康，这是因为智能型手机(Smartphone)与平板计算机(Tablet PC)销售不断成长的关系，而部分厂商减产反而导致供应量减少。

而根据英国网站ZDNET UK的报导，20纳米世代制程意味著制程从20纳米到29纳米都有可能，但三星并没有精确指出所使用的尺寸。英特尔(与美光合作)曾表示三星制程应该是接近27纳米。

存储器暨储存研究机构Web-Feet Research执行长Alan Niebel指出，这种20纳米「世代」的宣布对三星而言并不好看，因为相较于美光(Micron)/英特尔，或东芝(Toshiba)/新帝(SanDisk)，三星显然没跟上自己的制程技术。三星在DRAM制程技术上领先，但宣布的跟实际商用产出的不见得一样。

英特尔与美光合资的IM Flash在2011年4月宣布开发出20纳米世代制程，比三星晚了1年，其20纳米世代晶圆厂造价28亿美元，不过初期采25纳米世代制程进行生产。

三星已经是目前全球最大的存储器厂商，Line-16的产能加入后，将让该公司拿下更多市场，而产能增加通常也意味著价格将出现下滑。