三星 http://www.samsung.com/

根据报导，韩国电子大厂三星电子(Samsung Electronics)于22日宣布，其位于韩国京畿道的20纳米NAND Flash存储器产线已然开始量产，该公司预计将可藉此在提高产能的同时降低能耗，并节省约50%的生产成本。该公司同时表示，已启动 20 奈米级制程的 DDR3 DRAM 量产，可望提高生产效率并降低能源消耗。

该公司自2010年5月便开始建造新厂 16 产线 (line-16)，并于2011年5月完工，而自数月以前开始个人计算机用存储器的价格便因市场需求不振而一路下滑30%。

三星表示，公司计划加快生产 NAND 闪存以因应市场需求，明年也将开始采用更先进的 10 奈米制程等级的技术生产芯片。

NAND 快闪记忆芯片，广泛用于音乐播放器及数字相机等行动设备的数据储存；DRAM 则多见于个人计算机。