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三星电子(Samsung Electronics) 宣布收购美国次世代存储器芯片STT-MRAM开发公司Grandis，然而Grandis与韩半导体大厂海力士(Hynix)有技术合作关系，因此三星收购Grandis对海力士是否造成影响也格外受瞩目。

海力士相关人员3日表示，海力士2008年4月开始与Grandis共同执行MRAM开发企画，合作3年多，近来企画合作已结束。三星收购Grandis目前尚未对海力士造成影响。

此外，他也表示，在与Grandis共同开发的过程中，已充分取得可将MRAM商用化的必要授权，而Grandis与海力士共同开发前就持有的专利技术，海力士也能不支付权利金继续使用。

MRAM可用较目前存储器芯片低的电力驱动，且即使不供电也能储存信息，同时拥有非挥发性存储器的优点及稳定性。此外，MRAM也可突破半导体制程技术界限，呈现10纳米以下制程。

Grandis的非挥发性存储技术是DRAM(动态随机存取存储器)和NAND闪存未来的竞争者，芯片能耗更低，性能更高。但是，目前大规模制造MRAM芯片的成本过高。

三星称，Grandis将被整合到研发部门中。三星相关研发部门“专注于开发新一代存储技术，评估新型半导体材料和结构的长期商业价值”。

三星和Grandis没有披露这一交易进一步的详细资料。Grandis成立于2002年，有约25名员工，尚未发售一款产品。

Grandis业务发展副总裁亚历克斯·德利斯科尔-史密斯(AlexDriskill-Smith)表示，通过去年与HynixSemiconductor达成的开发协议，该公司生产出了首款54纳米芯片。Grandis预计，未来5年该公司的生产工艺将发展到20纳米，甚至更先进。

Grandis的MRAM技术比传统技术更先进。传统MRAM芯片的工艺一直是99纳米。

据德利斯科尔-史密斯称，与廉价的NAND闪存芯片相比，MRAM芯片写数据的能耗要低得多，“MRAM在许多方面要好于NAND闪存，NAND闪存芯片在改变每个存储位的状态时需要15伏至20伏的电压，需要的时间量级为微秒，甚至达到毫秒”。

海力士与Grandis合作关系结束后，7月与日本东芝(Toshiba)决定设立合作法人，共同开发及生产MRAM，加速MRAM的商用化作业。

另一方面，三星7月底收购了持有MRAM原创技术的美商Grandis。三星相关人员表示，无法透露收购花费金额和持股比例等细项，目前也仍未决定收购后是否进行合并。