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据报导，三星电子(Samsung Electronics)宣布，已成功采用20奈米高介电/金属闸极(High-k/Metal-Gate；HKMG)制程技术试产芯片，并发布制程设计套件(Process Design Kit；PDK)予客户使用。

三星指出，由于装置功能多元，系统单芯片(SoC)业者需有制程技术以为支撑，然要采用20奈米制程，便需运用截然不同的设计架构方法，试产芯片采用新的PDK，整合芯片设计方法、工具、智权，可协助客户迅速将最新芯片设计推入市场。三星试产芯片采用安谋(ARM)、Cadence设计，与新思(Synopsys) Galaxy嵌入式平台。