三星 http://www.samsung.com/

标准型DRAM价格直直落，各家DRAM大厂都亟欲切入服务器内存的市场，三星电子(Samsung Electronics)近期再度布局服务器内存，推出8GB的RDIMM(Registered dual Inline Memory Module；RDIMM)，且强调环保意识以Green DDR3 DRAM技术架构所设计；值得一提的是，三星的RDIMM是采用3D IC和硅穿孔(TSV)技术制造，未来内存大厂会强化布局3D IC和TSV技术。

三星指出，新款的RDIMM内存是采用40奈米制程生产，特色是强调相较于传统型的RDIMM内存，此款RDIMM内存大约可省下40%的耗电量，因此晋身为绿色内存的代表，符合现在科技产业强调提升环保意识的主张，皆下来三星也会持续往30奈米制程做转进。

再者，三星这款RDIMM产品是采用采用3D IC和硅穿孔(TSV)技术生产，强化三星在技术上的领导地位；对此三星表示，三星的TSV技术已经准备好了，将可大量运用在对于效能要求极为严格，以及对于省电要求高的服务器产品上。

在标准型DRAM随着价格崩盘，利润逐渐式微，加上云端运算是未来的趋势之一，服务器内存是各家DRAM大厂亟欲切入的领域，目前用于服务器的内存除了RDIMM外，还有低负载双列直插内存模块(Load Reduced Dual In-Line Memory Module；LRDIMM)等产品，日前尔必达(Elpida)才宣布推出32GB容量的LRDIMM，采用40奈米制程生产制造。

在3D IC和TSV技术上，业界预估最近2012年将开始普及，由于制程微缩和低介电值材料的限制，3D堆栈式封装技术已被视为能否以较小尺寸来制造高效能芯片的关键，TSV技术就是透过以垂直导通来整合晶圆堆栈。

其中，DRAM被业界认为是TSV 3D IC应用的最大宗市场之一，因为DRAM规格世代交替进入DDR4规格后，在高速化和大容量化的需求驱动下，TSV 3D IC技术有其可发挥的舞台。

2010年尔必达即与联电、力成携手开发TSV技术，以尔必达的DRAM技术做基础，加上联电的逻辑制程技术，后端封测则交给利力成，3方共同开发逻辑IC和DRAM技术的3D IC解决方案，预计在2012年进入量产；三星在3D IC和TSV技术上则是自己开发，且进度持续领先。