三星 http://www.samsung.com/

三星电子(Samsung)发表首款多晶片封装(MCP)的PRAM，将在本季稍晚提供给行动电话设计使用。

三星此款512Mb MCP PRAM与40奈米级NOR Flash的软硬体功能皆相容，此MCP亦可完全相容于以往独立式(stand-alone) PRAM晶片技术，为行动电话设计人员带来相当的便利性。三星并预计，PRAM将在明年以前被广泛接受，并成为在NOR Flash之后消费性电子设计使用的主要记忆体技术。

PRAM是透过其由锗、锑、钛合成的材料之相变特性来储存资料数据，相较于NOR晶片，可提供快三倍的资料储存效能。此款新的MCP PRAM记忆体结合了快闪记忆体的非挥发性特质与DRAM的快速能力。其简单的元件构造可令设计手机专用MCP晶片的过程变得更快速、更容易，并透过运用30奈米级等更先进的制程技术，克服NOR flash技术长期以来所存在的设计难题。

作为NOR的替代技术，PRAM更能轻易地满足手机与其他行动装置对于快速、高密度非挥发性记忆体的需求，例如MP3、个人多媒体播放器与导航装置。