三星电子(Samsung Electronics)致力发展系统芯片,并雄心勃勃计划2015年将该事业推向全球前3强地位。三星在3~4年内,将目前排名约全球第8的系统芯片事业提升至前3名,期望与内存营收合并计算时,全半导体事业可挤进全球第1。若三星要完成计划
据报导,三星电子(Samsung Electronics)的行动应用处理器(AP)供应不足,使全球智能型手机(Smartphone)及平板计算机(Tablet PC)制造业者陷入不安。三星为苹果(Apple)晶圆代工数量庞大,目前AP供需不稳定,而三星本身
三星电子(Samsung Electronics Co.)7日公布去(2010)年第4季(10-12月)初步财报:受电视价格下滑的影响,营业利益由去年同期的3.44兆韩圆下滑13%至3兆韩圆(26.7亿美元),并较上一季大减38.3%。根据彭博社调查,分析
据报导,三星集团(Samsung Group)5日宣布,今(2011)年集团投资金额将上升18%至43.1兆韩圆(384亿美元),创下历史新高纪录。三星集团2010年的设备与研发投资总额为36.5兆韩圆。
三星电子宣布,已经开发出并开始试产基于MLC NAND多层闪存芯片的固态硬盘,专门面向企业级存储系统。
据报导,全球最大存储器制造商三星电子(Samsung Electronics)表示,将兴建新的半导体产线,地点在首尔南方约70公里处的平泽(Pyeongtaek)。三星发言人表示,三星近日将与平泽当地政府签署初步合约,不过投资的金额、开工的时点等细节仍然没
此次大规模重组的目的是为了增强对有潜质的CEO接班人的培养,为集团未来管理提供人才储备,同时在各个业务部门加快建立负责任的管理体制。
据报导,三星电子(Samsung Electronics)应用可大幅提升内存容量的3D-TSV(Through Silicon Via)技术开发出8GB DDR3 DRAM模块。
标准型DRAM价格直直落,各家DRAM大厂都亟欲切入服务器内存的市场,三星电子(Samsung Electronics)近期再度布局服务器内存,推出8GB的RDIMM(Registered dual Inline Memory Module;RDIMM),
据报导,内存芯片大厂三星电子(Samsung Electronics)为提升行动通讯竞争力,计划拓展近端通讯(Near Field Communication;NFC)芯片市场,相关产品拟定于2011年初开始量产。
韩国京畿道龙仁市器兴区三星路1号
Samsung 第九代V-NAND 2024-08-27
Samsung 第八代V-NAND 2022-11-07
Samsung 3D TLC ADGU0F 2018-05-10
Samsung 3D TLC ADGU0D 2018-05-10
Samsung 3D TLC AFGH0A 2018-03-14
三星HBM3E 2024-03-20
三星HBM3 2023-10-17
三星 DDR5 DRAM 2021-10-12
三星 DDR4 DRAM 2011-01-17
三星PM9C1a系列SSD 2023-01-12
三星SSD 990 PRO 2022-08-25
三星SSD 990 PRO 2022-08-25
三星PM1743系列SSD 2021-12-23
三星ZNS SSDPM1731a 2021-06-02
三星LPDDR5X DRAM 2024-03-22
Samsung UFS 4.0 2022-05-25
三星eUFS3.1 2020-03-17
三星eUFS 3.0 2019-02-27
三星eUFS 2.1 2019-01-30
三星EVO Plus MicroSD卡 2018-08-23
三星EVO升级版MicroSD卡 2018-05-16
三星PRO microSD卡 2018-04-25
Samsung Micro SD EVO+系列 2016-05-09
Samsung SD EVO+系列 2015-06-09
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