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GDDR显存劲敌!SK海力士宣布量产16GB HBM2E,最高460GB/s传输带宽

编辑:Andy   发布:2020-07-02 13:02

SK海力士宣布将批量生产新一代HBM2E,8个16Gb单芯片堆叠,使其存储容量达到16GB,与上一代相比,容量增大了一倍。
 
HBM(High bandwidth memory)被视为新一代DRAM解决方案,主要是与GDDR展开竞争,在消费类市场,AMD RX Vega、NVIDIA Titan V等极少数产品应用了HBM2,专业市场AMD Radeon Instinct、NVIDIA Tesla的需求更大,但是成本是其普及的最大制约因素。

△  SK海力士 HBM2E 
 
SK海力士新一代HBM2E基于1024数据I/O,每个引脚达3.6Gbps的速度性能,最高拥有460GB/s的传输带宽,相当于有1秒钟内具有传输124个FHD高清级电影(3.7 GB)的能力。SK海力士采用TSV(硅通孔)技术,与现有封装方法相比,尺寸最多可减少30%,功耗最多可减少50%,同时也大大加快在数据上处理的速度。
 
SK海力士执行副总裁兼首席营销官Jong-hoon Oh表示:我们将领导第四次工业革命,并大规模生产HBM2E,从而巩固我们在高端存储器市场中的地位。
 
除了SK海力士,三星在2019年发布新一代HBM2E,每个引脚提供3.2Gbps数据传输速度,比上一代HBM2快33%。2020年2月三星16GB容量的HBM2E“Flashbolt”成功进入市场,主要应用于高性能计算机系统、AI数据分析和最新的图形系统。
 
在全球DRAM市场,三星、SK海力士、美光三家合计占据约95%的市场份额,三星、SK海力士纷纷投入HBM2E生产,美光也计划在2020年投入HBM技术的发展。

企业信息
公司总部
公司名称:
SK 海力士
地点:

韩国京畿道利川市

成立时间:
1983年
所在地区:
韩国
联系电话:
82316304114

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