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消息称三星已打造更优秀DRAM结构,且良率提升至60%以上

编辑:Andy 发布:2025-06-25 16:42

据韩媒报道,三星电子已成功打造出一种比以往占用面积更小、发热量更低、电力和信息传输更顺畅的DRAM结构。

三星电子计划将新设计应用于其1c DRAM。预计以此方式生产的 DRAM 将用于计划于下半年生产的HBM4。

报道称,基于这项成果,三星电子已将最新DRAM生产良率大幅提升至60%以上,并已开始研究如何在新设计DRAM量产前进一步提高良率,同时还与客户合作开展测试,以查明产品实际商业化过程中可能出现的任何问题。

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股市快讯 更新于: 06-27 12:59,数据存在延时

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